※ 本文是否可提供台大同学转作其他非营利用途？（须保留原作者 ID）
（是／否／其他条件）：是
哪一学年度修课：109-1
ψ 授课教师 (若为多人合授请写开课教师，以方便收录)
陈信树教授
λ 开课系所与授课对象 (是否为必修或通识课 / 内容是否与某些背景相关)
电子所、电机所、生医电资所选修
δ 课程大概内容
以下来自课程大纲。
1. Introduction
2. 挥发性内存 (Volatile memories)
甲、SRAM记忆单元的基础操作原理 , 阵列 /先进技术 , FinFET SRAM
乙、DRAM记忆单元的基础操作原理 , Embedded DRAM技术
3. 非挥发性内存 (Non-volatile memories)
甲、ROM
乙、Flash内存单元 , 阵列架构 , 进阶技术
丙、OTP (One-time Programmable)/MTP
4. 内存读取和控制电路, Sense Amplifiers
5. 内存周边电路及解码器 (Address Decoders) 架构
6. 前瞻内存 (Emerging Memories)技术
7. Memories Yield and Design for Manufacturing (DFM)
Ω 私心推荐指数(以五分计) ★★★★★
喜欢半导体制程 ★★★★★
喜欢不用出席的课 ★★★★★
需要毕业学分 ★★★★★
喜欢助教在 Office Hour 去排 iPhone 12 ★★★★★
喜欢作业跟上课内容完全没关系 ★★★★★
η 上课用书(影印讲义或是指定教科书)
“VLSI Memory Chip Design” by K. Itoh, Springer 2001.
“Advanced Semiconductor Memories: Architectures, Designs, and Applications
”, by A. K. Sharma 2002.
"VLSI-Design of Non-Volatile Memories”, by G. Campardo, et al. 2005.
课程大纲推荐的，用不太到
μ 上课方式(投影片、团体讨论、老师教学风格)
投影片上课，今年邀请到清大的张教授来授课，课程内容多半在讲摩尔定律和半导体制程，还有推荐你去台积电。整个学期下来几乎没有讲到电路设计的任何东西。课程有一部分会录影上传到 NTU Cool 上，另一部分因为张教授怕会不小心透漏商业机密就不录了。整体来说每周都像是演讲课，仿佛一学期内修了三个专题演讲。
σ 评分方式(给分甜吗？是扎实分？)
Midterm (25%)
Final Examination (45%)
Project (30%)
课程大纲上写的。最后大概没调分，扎实分，有6/34的人A+，1/34的人B-，这学期没有当人。
ρ 考题型式、作业方式
期中考有写有分，题目跟上课内容关联性未知。写错都有分。欢迎大家来体验。
三次作业都是请你设计电路，助教会提供工作站和模拟的教学档。
第一次作业是 6T SRAM，第二次是 Sense Amplifier，这两次是请大家设计电路并量一些参数，最后要 Layout，但不用做 post-sim。
第三次作业是提供一个现成的 SRAM Array 读写系统和周边的控制电路，助教说只要简单调 size 就可以了，但事实上里面 bug 很多，检查里面也是要花一点时间。
不过下次开课可能作业形式会不一样，大家可以简单参考就好。
ω 其它(是否注重出席率？如果为外系选修，需先有什么基础较好吗？老师个性？
加签习惯？严禁迟到等…)
不点名。如果本来就有电路模拟环境，写作业可能会比较顺。当然从零开始学也可以，这门课带你从 pre-sim 做到 layout，赚。
Ψ 总结
这门课其实没太着墨于电路设计，不过对半导体设计和制程演进有兴趣的同学还是可以来修修看。