[评价] 108-2 固态电子学 李峻霣

楼主: fxckingKevin (百湿不得骑姐)   2020-07-30 18:45:01
※ 本文是否可提供台大同学转作其他非营利用途?(须保留原作者 ID)
(是/否/其他条件):
是/请主动告知
哪一学年度修课:
108-2
ψ 授课教师 (若为多人合授请写开课教师,以方便收录)
李峻霣
λ 开课系所与授课对象 (是否为必修或通识课 / 内容是否与某些背景相关)
电机系复选必修
δ 课程大概内容
1. Crystal properties of semiconductors
2. Quantum mechanics
3. Band structures
4. Electrostatics and dynamics of carriers in semiconductors
5. Metal/semiconductor and semiconductor p/n junctions
6. MOS capacitors
7. MOSFETs
(节录自CEIBA)
Ω 私心推荐指数(以五分计) ★★★★★
有心往固态、电子领域者:4星,老师很强。
只想拿科学类学分者:1星,你有其他选择。
η 上课用书(影印讲义或是指定教科书)
课本(图书馆里有,但版本不一定是最新的)
1. Solid state electronic devices (7th global edition) by Streetman and
Banerjee, Pearson 2016 (preferred)
2. Semiconductor physics and devices (4th international edition) by Neamen,
McGraw-Hill 2012 (okay)
参考书目(有些在图书馆里借得到)
1. Modern semiconductor devices for integrated circuits (international
edition) by Hu, Pearson 2010 (simple and useful)
2. Physics of Semiconductor Devices (3rd edition) by Sze and Ng, Wiley 2007.
(http://onlinelibrary.wiley.com/book/10.1002/0470068329) (classical and
thorough)
3. Semiconductor Material and Device Characterization (3rd edition) by
Schroder, Wiley 2006.
(http://ieeexplore.ieee.org/xpl/bkabstractplus.jsp?bkn=5237928). Very useful
reference book
4. Fundamentals of Modern VLSI Devices (2nd edition) by Taur and Ning,
Cambridge 2009 (great for MOSFET)
(节录自CEIBA)
大致上期中考前是照着Neamen的架构在走;之后是按照Streetman的书在走,但事实上投
影片里有些内容会从其他书本(有可能是参考书目中的内容;也有可能不是XDD)节录
过来,期中考之后找不到出处的内容越来越多,所以可能要额外问老师哪段出自哪一本书
这样子。
μ 上课方式(投影片、团体讨论、老师教学风格)
大致上依循制作好的投影片,重要的部分会使用板书(线上式的话就是手写板)。
疫情的关系开始改线上式之后,个人认为有好有坏,虽然可以慢慢抄笔记,但是拖延症发
作的话会很想哭,我自己就是在期末考前的那个周末看完两三部影片,读到快崩溃,而且
也错过了很多office hour,个人觉得蛮后悔的。
σ 评分方式(给分甜吗?是扎实分?)
Homework (problem sets and simulation projects): 30%
TCAD exam: 10%
Midterm exam: 30%
Final exam: 30%
很扎实,给分也蛮甜的,我自认为自己对于这门课的掌握度配不太上这分数,只能说老师
人太好。
ρ 考题型式、作业方式
Homework (problem sets and simulation projects): 30%
有五个作业,前面两个是老师自己出的,一次简单一次难,但算是有趣的题目;之后三个
就是课本习题,个人觉得蛮无聊的,很多时候只是公式代来代去,而且网络上认真找的话
应该找的到答案。
然后还有一份TCAD作业(但我不确定分数算在哪里),内容包含用TCAD模拟指定条件的元件
特性(这部分照着助教给的讲义做应该没什么问题)、模拟论文得到的曲线(这部分就真的
蛮难的,需要一直调参数,而TCAD跑一次模拟可能就需要2、3分钟,建议及早开始以免做
到崩溃)、节录论文内容等等
TCAD exam: 10%
跟作业的题目差不多,如果TCAD作业是自己写的话应该没什么问题。
Midterm exam: 30%
因为疫情的关系所以是take home,但是禁止讨论。个人认为题目算和蔼,蛮多出自作业
跟课本的题目,翻翻书跟笔记还有上网找资料应该就还可以(如果你不强求破台的话。)
Final exam: 30%
闭书考,但可以带两张纸大小的笔记进去,个人认为期末考蛮难的,有关surface state
、defect state 的计算可以注重一下,老师上课比较少强调但是作业跟考试都有出现。
ω 其它(是否注重出席率?如果为外系选修,需先有什么基础较好吗?老师个性?
加签习惯?严禁迟到等…)
1 类加选XDD,最后修课人数是44人,好像有6、7人停修。
不需什么基础,大一可修。真的要说的话需要能跟固态理论相容的大脑,或者是愿意砸时
间下去的决心与耐心,两者具备其一就可以修了。
但没电子学基础的话在MOSFET部分可能会比较吃力,但这也算是小事,愿不愿意花时间读
比较重要。
老师很强,从上课用书的量就知道。但个人认为比较可惜的是这学期改线上式之后比较难
跟老师讨论问题,尤其是在你怀疑讲义有typo但是找不到内容出处也找不到人问的考前假
日XDDD。
建议找朋友一起修,有人一起讨论真的会好很多。像我自己来修就很多次动了停修的念头

助教人也很好,期中考前还会办读书会。但是可能是因为老师的题目太难,这领域又太广
,所以助教不一定能给你有说服力的答案(但这真的是偶尔的情形啦)。
Ψ 总结
想知道自己适不适合读元件的话,这门课还蛮推荐的,但如果已确立志向不会走这领域的
话就可以不要来修了,会花很多时间。
这门课很重观念,但除了上课听讲之外还需要花蛮多时间看各种课本的,认真读的话会学
到很多。
作者: gout005 (Alex)   2020-07-30 22:53:00
推推 帮补 那两本课本网络上都找得到

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