SK 海力士确认 2024 年启动 HBM4 开发
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虽然 2023 年内存市场低迷，不过，SK 海力士却把握住了服务器市场更换 DDR5 记忆
体及生成式人工智能（AI）爆发的机会，凭借针对性的产品线和市场策略，拿下了不少市
场占有率。而且，在成为辉达高频宽内存的合作伙伴之后，SK 海力士延续了 HBM 市场
的领导地位，甚至出现了“赢家通吃”的局面。
近日，SK 海力士在介绍 2024 年储存产品线的时候，已确认 2024 年将启动下一代
HBM4 的开发工作，为资料中心和人工智能产品提供动力。其实，在 2023 年在第四季，
包括三星和美光就已先后确认正在开发 HBM4，预计分别在 2025 年和 2026 年正式推出
。
HBM 已经经过 5 个世代的发展，其中在 HBM3E 是 HBM3 的扩展版本，而HBM4 将是第 6
代产品。SK 海力士表示，HBM3E 会在 2024 年进入大量生产，而启动 HBM4 的开发工作
代表着 HBM 产品的持续发展迈出了重要的一步。
先前报导，下代 HBM4 设计会有重大变化，堆叠采 2048 位元接口。2015 年以来，每个
HBM 堆叠都是 1024 位元接口，位元频宽翻倍是 HBM 内存技术推出后最大的变化。如
果 HBM4 能保持现有的接脚速度，代表着频宽将从现在 HBM3E 的 1.15TB/s，提升到
2.3TB/s 的水准，提升会相当明显。
HBM4 堆叠层数也有变化，除了首批 12 层垂直堆叠，2027 年还有 16 层垂直堆叠产品。
HBM 还会往更客制化方向发展，不仅安装在 SoC 主芯片旁边，部分还会转向堆在主芯片
上，带来更大效益。