俄罗斯新半导体计划2030年自产28奈米
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由于俄罗斯因乌克兰战争，而受到全球各国的排斥与高科技出口制裁，所以普丁要自制晶
片，要求俄罗斯制定计划以恢复其陷入困境的本地半导体制造，以取得关键芯片。
俄罗斯政府已经制定了新的微电子发展计划的初步版本，到2022 年底达成90奈米，规划
未来8年到 2030 年建立28奈米节点的制造，需要投资约 3.19 兆卢布（384.3 亿美元）
。这笔资金将用于开发当地半导体生产技术、国内芯片技术开发、数据中心基础设施、培
养在地人才及行销。该计划预计将于 2022 年 4 月底敲定并送交俄总理正式批准。
我国台积电计划到 2025年达到 2奈米，但俄罗斯希望到 2030 年实现 28奈米芯片本地制
造。俄至少技术落后我国20年，甚至不见得可以达成低标。
一直以来，俄罗斯的强项在软件和高科技服务方面，但在芯片设计和制造方面相对不成功
。虽然计划在国内培养本地人才和开发芯片，但该国计划在今年年底前，建立一个“外国
解决方案”的逆向工程计划，将其制造转移到俄罗斯。到 2024 年，提高自主生产力，所
有数位产品都要在国内生产，而非依赖中国或其他国家。
其实，现实是很残酷的。当俄罗斯在实行计画的过程中，无法取得欧美技术，想要达标过
程仍充满挑战与变量，特别是考虑到已实施的制裁和所述设备的成本，从哪里获得这些半
导体生产机器和设备？目前来看，俄国若要达标，势必更依赖中国，且其将扮演俄罗斯实
施芯片自主的重要角色。