Fw: [问题] 5 pin pmos ?

楼主: andyping (19930905)   2021-02-04 23:06:55
※ [本文转录自 Electronics 看板 #1W6_l7AY ]
作者: andyping (19930905) 看板: Electronics
标题: [问题] 5 pin pmos ?
时间: Thu Feb 4 21:51:01 2021
目前在试新制程的layout
昨天突然遇到spice写法pmos5pin
真的有这个东西吗?
xmp0 d g s b sub model w=? L=?
一般常理而言应该是4pin吧
想请教有遇过的前辈?
因为他的layout diff就分两个layer pdiff ndiff 之类的
有些制程考量的原因导致要分开吗?
我是原po 目前在弄layout 但看到有5pin的mos 请问算很常见的元件吗?
楼主: andyping (19930905)   2020-02-04 22:37:00
drain gate source body是基本的 p body接body vddnbody接gnd 但他告诉我最后sub接gnd的用意是指?
作者: jfsu (水精灵)   2020-02-04 22:42:00
x开头是subckt,这颗MOS里头可能有其他寄生元件 ex: diode
楼主: andyping (19930905)   2020-02-04 22:52:00
感觉不是啊 我spi有宣告.subckt model name d g s b sub跟寄生元件感觉无关 而且他diff分两个我最近看到有点傻眼 正常layout active region只会一层layer表示 然而跑lvs如果用正常pmos写法他会missing instance更正 我是拿他制程的cdl呼叫进去的
作者: bluemkevin (WHO WHO)   2021-02-04 23:10:00
sub 不就是 substrate?
楼主: andyping (19930905)   2021-02-04 23:12:00
对啊
作者: UDK0821 (UDK)   2021-02-04 23:15:00
是有deep nw的制程吗
楼主: andyping (19930905)   2021-02-04 23:15:00
我比较想知道的是p sub接地一般不用写吧 但是昨天遇到的spice 要加 不然lvs会missing instance我是不知为何这个制程需要多此一举啦?
作者: skysleep (知易型男)   2021-02-04 23:15:00
其实也有5t,6t的MOSFET,可以吧well结构画看看应该可以知道
作者: kk123 ( ̄▽ ̄)   2021-02-04 23:26:00
psub to nwell 有寄生 diode 第五只脚就是 psub pin.
楼主: andyping (19930905)   2021-02-04 23:51:00
了解了 那为何4 pin mos可以不用写呢?
作者: tenseven   2021-02-04 23:54:00
dnw只有nmos才有吧
楼主: andyping (19930905)   2021-02-05 00:06:00
目前已解 应该是BCD制程的原因
作者: marvyuh (台南清水健)   2021-02-05 00:30:00
5 terminal 的MOS很多 不是只有bcd才有 RF也有类似的元件 看spice model 怎么做 基本上LVS就是跟着spice model
作者: bulcas (神火)   2021-02-05 00:50:00
这文跟科技业的关系是 ?
作者: jay89929 (杰)   2021-02-05 01:16:00
不懂楼上嘘什么,这还是业界范畴的讨论啊
作者: William717 (AnywayCK24)   2021-02-05 01:30:00
楼楼上不知道spice 这种回复情有可原
作者: seraphwind (阿风)   2021-02-05 02:34:00
乞丐赶庙公XD
作者: HFET (绅士场效电晶体)   2021-02-05 06:32:00
同意14楼
作者: h7705060 (邪恶小猫)   2021-02-05 09:02:00
有些公司会在BCD 制程 出4T跟5T,甚至6T的 model 现在PMIC一堆high-side 应用客户有各种抬压需求 有的抬在P-SUB有的抬在DNW有的要在Source 抬,整合很崩溃每次都要帮客户量测他的需求,客户也会不爽你们的DSM 这么难用,所以才衍生出这些5只脚6只脚的model
作者: SolomonTab   2021-02-05 10:38:00
干! 蔡逼八!!! 你随便一个类比IC mos外围要挂几个Diode breakdown多大你爽就好 5T 6T很常见好吗!GG model team 就包含LVS PDK SPICE而且我们ATD 也会锁BV 你不懂直接在会议问就好啦!
作者: republic (#FunCoTravel)   2021-02-05 10:51:00
去问FAB怎么定义不就好了....好笑的是板上也都是学生回答不了你的问题..
作者: hugh5130 (hughGCHIEH)   2021-02-05 10:54:00
应该是下面有垫一层HV_Well,主要应用在大面板LV 1.8V的LVP device
作者: VicLien ( 第二人生)   2021-02-05 11:06:00
DNW
楼主: andyping (19930905)   2021-02-05 11:08:00
我觉得有些意见对的啦 谢谢指教
作者: samm3320 (sam)   2021-02-05 11:33:00
版上哪来那么多学生,都老人了
作者: darkangel119 (星星的眷族)   2021-02-05 13:06:00
一堆登入数破三千的老人很多XD

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