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2019-10-11 00:14 联合报 编译叶亭均／综合外电
三星电子正考虑为兴建中的第二座西安ＮＡＮＤ型快闪存储器工厂追加投资。业界人士认
为，在内存市场供应过剩之际，三星此举可能为市况增添不确定性。
韩媒BusinessKorea报导，证券与半导体产业消息人士九日透露，三星电子计画将内存
芯片厂明年资本支出小幅调高至六十五亿美元，增加的金额预期投入西安第二座半导体工
厂，将在年底宣布计画。
三星已在二○一四年完工的首座西安厂量产第一代Ｖ-ＮＡＮＤ型快闪存储器。然而，三
星二○一七年八月与西安省政府签署兴建第二座工厂的备忘录，并宣布直到二○二○年前
计画投资七十亿美元，因为当时即使第一座工厂产能全开，ＮＡＮＤ供应也不足。
三星为遵守向陆方的承诺，正面临要在明年八月前让第二座西安厂完工并全面营运的压力
。不同于ＤＲＡＭ市场，ＮＡＮＤ快闪存储器市场正逐渐显示复苏迹象，在ＳＫ海力士与
美光等其他厂商减产之际，三星此举将乘机拿下更多市占，但将为市况增加不确定性。