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韩国科学技术研究院（KAIST）专利智财管理子公司KAIST IP于2016年11月29日，向美国
东德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼，控告三星（Samsung）、高通（Qualcomm）以及
格罗方德（GlobalFoundries）侵犯一项技术专利，有关于鳍式场效电晶体（FinFET）技
术，要求支付专利使用费，可能下一波诉讼对象是台积电、联电等代工厂，或是终端应用
商苹果等。
韩国专利智财管理公司KAIST IP US是KAIST IP在美国设立之子公司，该公司隶属于韩国
科学技术研究院（KAIST）是为促进所开发的知识产权和技术而成立。KAIST成立于1971年
由韩国政府设立，是韩国第一个研究型科学与工程机构，目前拥有超过9000名学生和1100
名教授研究员，在全球拥有超过3,300项注册专利。同时，KAIST是韩国的研究型大学，与
首尔国立大学、高丽大学、延世大学和成均馆大学，并列为韩国前五大大学。
本案系争专利US6885055 (Double-gate FinFET device and fabricating method
thereof)，有关于鳍式场效电晶体（FinFET）制程技术。原专利权人Lee Jong-Ho是首尔
国立大学电子工程系教授，后于2016.07.20将专利权转移给KAIST IP CO., LTD，后又于
2016.08.10转给旗下美国子公司KAIST IP US LLC，以便在美国法院主张专利权进行诉讼
。
公开号 US6885055 B2
申请书编号 US 10/358,981
发布日期 2005年4月26日
申请日期 2003年2月4日
优先权日期 2003年2月4日
其他公开专利号 US20040150029
发明人 Jong-ho Lee (李钟浩)
原专利权人 Lee Jong-Ho
目前专利权人 KAIST IP US LLC
近2年来，半导体最热门的讨论就是“FinFET”技术，被认为是目前高性能手机中重要的
核心技术之一，且已被多家厂商采用，例如：iPhone 6s内新一代A9应用处理器采用新电
晶体架构很可能为鳍式电晶体（FinFET），还有三星电子Galaxy系列在内的10多款手机都
使用了FinFET。代表FinFET开始全面攻占手机处理器、三星与台积电较劲，将10 奈米
FinFET 正式纳入开发蓝图 、联电携 ARM完成 14 奈米 FinFET 制程测试。
更先进3D FinFET由美国加州大学伯克莱分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey
Bokor 等三位教授发明了“鳍式场效电晶体（Fin Field Effect Transistor，FinFET）
”，把原本 2D 构造的 MOSFET 改为 3D 的 FinFET，因为构造很像鱼鳍 ，因此称为“鳍
式（Fin）”。
值得一提的是，这个技术的发明人胡正明教授，就是梁孟松的博士论文指导教授，换句话
说，梁孟松是这个技术的核心人物之一，台积电没有重用梁孟松来研发这个技术，致使他
跳糟到三星电子，让三星电子的 FinFET 制程技术在短短数年间突飞猛进赶上台湾，这才
是台湾半导体晶圆代工产业最大的危机。
KAIST IP声称，其FinFET专利技术已获英特尔(Intel)采用，该技术发明人李钟浩说：三
星曾与他讨论过该FinFET技术，之后就盗用该技术。所以主张，三星及格罗方德侵犯该公
司的“FinFET”专利技术，之后三星、格罗方格以14奈米FinFET制程技术供应芯片给高通
，因此高通成为被告。
台积电则以16奈米FinFET制程帮苹果生产iPhone用芯片。据韩媒报导，KAIST已经计画在
蒐集证据后，准备向台积电提起诉讼。台积电内部认为，三大半导体都拒绝支付专利费用
给KAIST，显见三家半导体厂都具备自主研发的FinFET技术。
“FinFET”专利技术将是半导体厂必争之地。从半导体制程、芯片、封装到终端应用等厂
商将群起围攻，KAIST将面临一场长期性硬仗。KAIST能否求偿授权金成功？还很难说。