※ 本文是否可提供台大同学转作其他非营利用途？（须保留原作者 ID）
（是／否／其他条件）：否
哪一学年度修课：110-1
ψ 授课教师 (若为多人合授请写开课教师，以方便收录)
胡振国教授
λ 开课系所与授课对象 (是否为必修或通识课 / 内容是否与某些背景相关)
电子所、电机所 选修
δ 课程大概内容
1.PH:金氧半物理 (MOS Physics)
2.CV:金氧半电容特性 (MOS CV Characteristics)
3.IT:界面陷阱特性 (Interface Trap Characteristics)
4.SO:硅及氧化层特性 (Si and Oxide Characteristics)
5.FET:金氧半场效电晶体(MOS Field Effect Transistor)
6.OTB:氧化层电荷抓陷及崩溃(Oxide Trapping and Breakdown) (17、18 弹性教学)
Ω 私心推荐指数(以五分计) ★★★★★
想了解半导体元件特性： ★★★★★
讨厌背公式： ★★
η 上课用书(影印讲义或是指定教科书)
老师手写讲义，主要是整理Nilollian、Tsividis(同Ceiba)，也包含很多paper。
这学期全线上，所以都是把电子档放在网络上供下载。电子档里面包含老师已经
划好的重点跟补充内容，有种在读全校第一名的精美笔记的感觉XD
μ 上课方式(投影片、团体讨论、老师教学风格)
实体上课+同步直播，不录影。感觉老师满用心在教学上的，虽然是线上上课
但感觉课程品质还是满好的。老师也很耐心回答同学的大小问题。
老师常说他不赶进度，而且哪边是重点、哪边可以看过有印象就好，上课都会
很明确地说出来，加上讲义又是自己写的，所以上课节奏很流畅。
σ 评分方式(给分甜吗？是扎实分？)
个人觉得凉度普通，给分很甜
期中、期末考卷都是老师自己改，扣分扣得很少。期末考有一题公式背错，导致接连
五个小题算出来的数字都错，结果只被扣了5分。完全不敢相信自己值得这个分数XD
ρ 考题型式、作业方式
4次作业、期中考、期末考
作业都是翻讲义就能找到的公式，不太需要花时间想或上网找资料。考试大部分都
考作业内容，或是上课讲“这个一定是必考题”的地方，所以好像也不用花太多时
间准备。前两次作业需要用程式简单的跑一下公式，大概20行内而已。
虽然讲起来好像很简单，也不会考上课讲的推导，不过公式的确是有点多。但背起来
之后就只剩下按计算机而已了。
ω 其它(是否注重出席率？如果为外系选修，需先有什么基础较好吗？老师个性？
加签习惯？严禁迟到等…)
不注重出席率，不过我觉得因为讲义是老师浓缩两本书的精华后再自行编排，所以
如果自读的话效果会打满大的折扣。后来还是努力在早九醒来。
这门研究所的选修好像也有满多大学部的学生来修。建议是具备一点固态电子学的知识
再来修会比较有概念。例如期中考以前有满大的篇幅在讲flatband voltage如何受到
其他电荷的影响、C-V curve的意义等；期末考内容则包含Vt variation、radiation、
body effect、SCE等。对于固态电子学有点基础认识的话，才不会觉得这堂课一直在
背公式，而是可以从这些公式推导中找到一点乐趣。
老师真的很和蔼慈祥，印象中每次看到老师都是笑容满面，真的很厉害。这堂课上限
80人，但依稀记得U meeting人数+现场好像有到100多人过，所以应该是全签吧。
Ψ 总结
修完固电或对奈电想要多一点的了解，这门课满适合当作入门课之一。