三星、台积电将共同研发HBM4 韩媒：史上头一遭
MoneyDJ新闻 2024-09-06 12:28:58 记者 郭妍希 报导
三星电子(Samsung Electronics Co.)打算跟晶圆代工竞争对手台积电(2330)合作，一同开发次世代AI用高频宽内存“HBM4”。
韩国经济日报、BusinessKorea 5日报导，台积电生态与联盟管理负责人Dan Kochpatcharin 5日在《SEMICON Taiwan 2024》表示，两家企业正在共同研发一款无缓冲(bufferless)的HBM4芯片。他说，内存制程愈来愈复杂，跟伙伴的合作从未像现在如此重要。
高频宽内存(HBM)是一种先进DRAM，处理速度比传统内存更快，对AI发展至关重要。HBM4为第六代HBM，三星、SK海力士(SK Hynix Inc.)、美光(Micron Technology Inc.)等内存大厂最快明(2025)年就可量产，供应辉达(Nvidia Corp.)等AI芯片设计商。
分析人士表示，若三星、台积电决定共同研发无缓冲HBM4，将是两家企业在AI芯片领域首次结盟。
消息指出，三星、台积电会先从第六代HBM4开始合作。三星计画明年下半量产HBM4，并打算借由双方合作，为辉达、Google等客户供应客制化芯片与服务。
消息显示，三星打算提供一站式服务，从DRAM生产到逻辑晶粒(logic die)制造、先进封装服务一气呵成。不过，三星也考虑使用台积电的技术，因为有客户偏好台积电生产的逻辑晶粒。
三星正在努力追赶HBM领导大厂SK海力士。根据集邦科技(TrendForce)统计，SK海力士的HBM市占多达53%，三星则有35%。SK海力士早在4月就宣布要跟台积电合作生产HBM4芯片，预定2026年量产。
三星总裁暨内存事业部负责人Jung-bae Lee 4日在Semicon Taiwan 2024发表主题演说时曾表示，为了将AI芯片效能最大化，客制HBM是最佳选择。他说，三星正在跟其他晶圆代工商合作，提供超过20个客制化解决方案。
Lee并在论坛的执行长峰会指出，三星的系统LSI与内存部门虽会负责芯片设计与制造，但该公司也会运用其他晶圆代工商的产能，将HBM效能拉高到极致。他指出，光靠传统内存制程，对HBM效能的提升程度有限。
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