新闻标题： 超车台积电无望？三星3奈米遭爆良率仅20% 想抢单辉达却传客户跑单
2024/05/21 17:51 壹苹新闻网 / 吕承哲 综合报导
【记者吕承哲／台北报导】韩媒报导指出，三星电子为了在3奈米制程扳回一城，计画让
旗下Galaxy 系列智慧型手机、智慧型手表处理器芯片采用三星第二代3奈米制程，预计7
月就会有产品发表。不过，也有韩媒透露，三星的3奈米制程的良率仅有20%。
根据《NotebookCheck》报导，电子设计自动化厂商 Synopsys 新思科技月初发布新闻稿
，宣布三星3奈米制程的旗舰行动SoC开始流片，这也是首款采用三星3奈米制程并对外展
示的产品，外界预期该款处理器就是明年会搭载在Galaxy S25系列旗舰手机的Exynos 250
0。
三星3奈米刚推出的时候，被爆出良率仅有10～20%，但在1年多努力下，第二代3奈米良率
提高3倍，据传效能、功耗以及面积，都与台积电N3P有得比。台积电曾说明，N3P 制程是
先进版 3 奈米系列之一，2024 年投产，与 N3E 相较性能提升 5%，功耗降低 5%~10%，
芯片密度提高 1.04 倍。
不过，韩媒《 DealSite》、社群平台X用户@Revegnus1表示，三星的第二代3奈米制程良
率仅有20%。韩媒则是没有说明是指3GAP，还是原本的3GAA的良率不佳。相较之下，台积
电第一代3奈米制程N3B，良率接近55%，N3E则未知。@Revegnus1则是在5月14日爆，Googl
e将从2025年推出的智慧型手机Pixel 10，将Tensor处理器将改采台积电3奈米制程，而非
合作许久的三星先进制程。
此外，三星也力图取得辉达订单。三星除了要争取在AI服务器处理器效能高度相关的高频
宽内存（HBM）扩充版本HBM3e，获得辉达验证之外，韩媒指出，市场人士表示，三星晶
圆代工部门制定“Nemo”计画，试图拉拢辉达下单三星的先进制程，要求晶圆代工部门各
单位全力以赴，通知接单将辉达列为优先对象。
市场分析师认为，台湾因为地震、地缘政治等风险浮现，是三星缩小与台积电差距的机会
。
辉达曾在 2020 年将消费级绘图芯片（GPU）GeForce RTX 30 系列交由三星8奈米制程代
工，但在资料中心等级的AI 芯片A100则是由台积电7奈米制程代工，H100则是交付台积电
4奈米代工，最新、目前地表最强的AI 芯片 GB200也是交由台积电4奈米代工，甚至是消
费级GPU GeForce RTX 40 系列，则是交由台积电5奈米家族的4N制程代工。这也使得三星
在先进制程的客户，面临愈发稀少的困境。
新闻来源： https://reurl.cc/Gj52pd