日本Rapidus和法国Leti合作往1奈米制程前进，这一合作将成为日本半导体复苏的关键
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Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1奈米级的新
一代半导体设计的基础技术。
合作伙伴预计于2024年将正式开展人才交流和技术共用。Leti将贡献其在芯片零组件方面
的专业知识，以建构有利于提高自动驾驶和AI性能的1奈米产品的基础设施。
Rapidus已与IBM和比利时研发集团Imec合作，实现2027年量产2奈米芯片的目标。预计1奈
米半导体最快将在2030年代以后开始普及。与2奈米相比，1 奈米技术可将功效和运算性
能提高10%至20%。
IBM也考虑在1奈米领域进行合作。跨越日本、美国和欧洲的跨境合作伙伴关系预计将为下
一代芯片带来稳定的供应链。
2022年，Rapidus、东京大学和其他日本国立大学与日本理化学研究所共同成立了尖端半
导体技术中心（Leading-Edge Semiconductor Technology Center；LSTC）。2023年10月
，LSTC与Leti签署了一份谅解备忘录，探讨合作。LSTC 和Leti希望建立设计采用1.4奈米
至1奈米制程制造的半导体所需的基本技术。 制造1奈米产品需要不同的电晶体结构，而
在该领域，Leti在薄膜沉积和类似技术方面实力雄厚。
Leti主导研究新的电晶体结构，LSTC将合作评估和测试原型，以及派遣人员。 对于传统
的芯片元件结构，超过一定程度的小型化会降低功率效率并限制性能提高的范围。
日本在1奈米范围内的半导体设计开发方面没有本土的专业知识。有鉴于此，Rapidus和其
他日本利益相关者设想透过联合研究和进口1奈米设计技术与海外研究机构和公司建立关
系。这也是为什么Rapidus于2022年在日本政府的支持下成立的原因。
麦肯锡 (McKinsey & Co.) 表示，到 2030 年，全球半导体市场预计将达到 1 兆美元。
其中，先进制程将成为最竞争的领域。根据研究显示，三星电子和台积电预计将于2025年
大规模生产采用2奈米技术的芯片。至于英特尔也计划于2024年开始采用1.8奈米制程制造
芯片。
日本的Rapidus也预计将于2025年4月启动一条生产2奈米产品的试产线。该公司计划于
2027年在北海道大规模生产2奈米半导体。
总之，为了不落后于台湾、韩国和美国在先进半导体制造技术，日本决定采取行动于2030
年之前进入先进半导体制造领先群。毕竟，未来的AI和自动驾驶产业的竞争是一个国家科
技的核心，半导体扮演着关键性的角色啊！