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三星2奈米 紧追台积进程
2023-06-29 00:40 经济日报／ 记者尹慧中、编译叶亭均／综合报导
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三星晶圆代工事业群昨（28）日召开年度论坛，喊出2025年前导入2奈米生产行动应用相
关芯片。美联社
三星晶圆代工事业群昨（28）日召开年度论坛，喊出2025年前导入2奈米生产行动应用相
关芯片，与台积电（2330）规划2奈米量产时程相当，并领先台积电要在2027年量产更先
进的1.4奈米芯片，力图弯道超车台积电的意味浓厚，并将引动新一波先进制程抢单大战
。
这是三星首度公布2奈米以下制程蓝图，韩国媒体形容堪称“大胆”。台积电向来不评论
竞争对手，面对三星近年积极在先进制程追赶，台积电总裁魏哲家先前已公开表示，旗下
2奈米进度比原先预期好，维持2024年风险试产2024年、2025年量产的目标；另外，1.4奈
米制程也会在台湾量产，但尚无时程。
三星27日在加州圣荷西举行年度“三星晶圆论坛”，约700位晶圆代工伙伴代表与会，并
同步发布新闻稿提到追赶台积电的路线蓝图，将在2025年前分阶段将2奈米制程导入生产
行动应用芯片，2025年起也将开始接单代工下一代车用电源管理芯片，并且重申要在2027
年量产更先进的1.4奈米制程。
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三星规划，2025年以2奈米制程（SF2）量产行动应用芯片，2026年扩及高速运算（HPC）
应用，2027年再延伸至汽车应用。三星表示，SF2的效能比目前最先进的3奈米制程（SF3
）提高12%，功率效率提升25%。
近来主打“先建厂”营运策略的三星，也将扩增韩国平泽厂与美国德州泰勒厂产能，预计
至2027年时将扩大无尘室容量比2021年多7.3倍。
三星也宣布，平泽厂第三条产线今年下半年开始量产行动和其他应用的代工产品，并将继
续将韩国的生产基地扩大到龙仁。
三星并于新闻稿补充，美国泰勒新工厂建设预计将于今年底完工，2024下半年开始营运。
三星强攻先进制程之际，也积极拓展第三代半导体等特殊制程量能，宣布跨入8吋氮化镓
（GaN）半导体接单代工生产服务，瞄准资料中心和汽车应用，相关服务预定2025年上线
。另外，今年上半年也在开发5奈米射频（RF）制程，节能效益比之前的14奈米射频制程
提高40%，目标2025上半年备妥，支援下世代6G联网技术。

客户只有自家手机吧XDD

疑 不是才喊3奈米已经超车？