https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4127939
3奈米良率想超车台积电 三星找美企求援
2022/11/19 08:23
https://img.ltn.com.tw/Upload/business/page/800/2022/11/18/phpcqCpM6.jpg
据报导，美国公司Silicon Frontline将帮助三星改进先进芯片制程的良率。（法新社）
〔财经频道／综合报导〕三星在芯片制造方面技术不如台积电，一直苦苦挣扎突破现况。
据Naver报导，三星已与美国公司Silicon Frontline Technology合作，提高半导体芯片
在生产过程中的良率。三星4奈米和5奈米制程存在良率相关的问题，而三星不希望在3奈
米制程又出现这种情况。据报导，Silicon Frontline将帮助三星改进先进芯片制程的性
能和良率。
三星代工厂制造的Snapdragon 888和Snapdragon 8 Gen1存在过热问题，结果，失去了制
造Snapdragon 8+ Gen 1、Snapdragon 8 Gen 2和Nvidia RTX 4000 GPU的合约。目前三星
正在努力解决这些问题。
Silicon Frontline提供芯片资格评估和ESD（静电放电）预防技术。ESD是导致半导体晶
片缺陷的主要原因之一。据报导，三星在芯片设计和生产过程中与Silicon Frontline长
期合作，并取得了令人满意的结果。
报导指出，如果三星设法提高未来芯片制造工艺的性能奏效，结合其3奈米GAA架构，三星
代工可能会再次与台积电竞争，并获得超微半导体、辉达和高通等大客户的订单。高通已
提到，作为双代工厂采购战略的一部分，可能会重新与三星合作。