外电报导，中国最大晶圆代工业者中芯国际7奈米制程已量产，从去年7月起已持续约一年
，生产虚拟货币挖矿装置的芯片并提供给客户MinerVa公司，近期因外媒TechInsights拆
解芯片后才被曝光，且初期影像显示几乎抄袭台积电7奈米的制程。
高达520亿美元补贴的美国芯片法案即将过关，法案中禁止领补贴的业者在中国大陆扩产
，却仍爆发中芯量产7奈米芯片案。
业界研判，中芯此举凸显中国大陆极力突破半导体先进制程防线，且技术逐渐赶上台积电
、三星，逼近全球第三大晶圆代工厂地位，预料美国将会再提高取得先进制程关键设备门
槛。
对于中芯疑似抄袭的相关讯息，台积电昨回应记者询问，对此无评论。另有亚系外资认为
，中芯应该仍不具备7奈米量产的能力，多半是10奈米的改良版，良率也是一大疑问。
外媒解读，这是中芯在晶圆代工产业第三次将7奈米制程商业化，但实际量产规模应有限
。依据中芯国际投资人会议资讯，2020年时曾首次提到7奈米制程技术发展，后续并曾提
到计画2021年风险试产以及2022年左右量产计画。
业界人士指出，中芯在美国管制下很难取得关键生产设备，力求突破的方式就是转用在地
设备供应商或是运用既有的深紫外光（DUV） 微影设备生产。
中芯没有极紫外光（EUV）微影设备还是做出7奈米芯片，业者说，中芯目前的DUV设备仍
可做出7奈米芯片，只是工序繁琐，良率也难与台积电匹敌，而且一颗芯片中并非所有的
制程都用到7奈米，研判是中芯代工生产挖矿芯片的厂商 ，先在台积电7奈米制程投片，
再交给中芯进行反向工程。
工研院产经国际所研究总监杨瑞临表示，如果中芯真要刻意抄袭，只靠DUV设备也能做出
来，但抄袭的认定仍有待后续观察。他强调，不仅台积电会反击提告抄袭，相信中芯此举
也会惊动美国，加大禁止关键设备输往大陆力道，研判可能连DUV都禁售大陆业者，牵连
广泛。
业界分析，中芯运用DUV设备生产较先进制程可能遇到的瓶颈是良率、产能与生产效能都
远低于业界。但是，中芯用DUV设备也要生产先进芯片，已让美国官方极为谨慎，积极和
微影设备大厂艾司摩尔（ASML）沟通、力求限制出口给中芯。
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