英特尔订购下一代High-NA EUV扫描仪 期望在2025年实现量产
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英特尔有望在2025年采用艾司摩尔 (ASML) 0.55 High-NA EUV 极紫外光微影
(Lithography) 技术。 TWINSCAN EXE:5200系统 一种具有高数值孔径和每小时200多片晶
圆的极紫外 (EUV) 大批量生产系统。
由于，英特尔在第一代极紫外 (EUV) 微影技术方面，明显落后于其竞争对手台积电和三
星，因此肯定希望率先采用具有0.55 NA (或High-NA) 的下一代EUV工具，以提供更高的
分辨率和生产力。英特尔宣布已从ASML订购了第二款实验性High-NA工具。
英特尔宣布计划从2025年开始采用ASML的High-NA Twinscan EXE扫描仪，进行大批量制
造 (HVM)，届时该公司打算开始使用其18A (~1.8nm) 制造技术。其实，英特尔自2018年
获得ASML的High-NA EUV (Twinscan EXE:5000) 以来，一直在试验High-NA工具，这是业
界首款具有0.55数值孔径的EUV扫描仪。接着，2022年该公司订购了ASML的下一代高数值
孔径工具Twinscan EXE:5200。据ASML总裁兼首席技术官表示，该型EUV与当前的EUV系统
相比，扩展EUV路线图提供了持续改进，降低了芯片扩展所需的复杂性、成本、周期时间
和能量。
High- NA EUV工具对于实现更小晶体管和更高晶体管密度的更高分辨率 (<8nm vs~20nm
for 0.33 NA EUV) 至关重要。除了完全不同的光学设计外，高数值孔径扫描仪还承诺提
供显著更快的掩模版和晶圆级以及更高的生产率。例如，ASML Twinscan EXE:5200的生产
率超过200片/小时 (WPH)。相比之下，ASML的顶级0.33 NA EUV机器Twinscan NXE:3600D
以13.5nm的光波长产生约160 WPH。
就像采用0.33 NA EUV并没有消除深紫外 (DUV) 的使用一样，0.55 NA EUV也不会取代现
代晶圆厂中现有的DUV和EUV工具。事实上，ASML计划在未来几年继续开发更先进的DUV和
0.33 NA EUV扫描仪。同时，High-NA EUV技术将成为缩小电晶体管尺寸和提高晶体管密度
的关键技术。
艾司摩尔 (ASML) 是EUV独家供应商，迈向2奈米竞争下世代EUV设备再飙上新天价。据知
，下世代High-NA EUV设备因为精密度更高、设计零件更多，售价更高达约3亿美元，来自
英特尔、三星、台积电这三大主要客户，截至去年第4季订单已有五台。其中，最新款机
种“EXE:5200”由英特尔率先抢下，报价逾3.4亿美元，再创历史新高价。目前ASML第一
代High-NA EUV，称为EXE：5000，吞吐量可达185 wph，计划于2022年推出。至于更快版
本的EXE：5200是预计于2024年推出，而英特尔推迟到2025年量产。
下世代EUV设备飙涨，也大举拉高台积电今年 (2022) 资本支出，总金额上看440亿美元，
年增幅33%，相关支出多数用于先进制程，业界认为，先进制程朝2奈米推进，下世代EUV
设备扮演关键角色。