挑战摩尔定律极限 ASML开发1奈米制程曝光设备
2020/12/02 05:30
〔编译卢永山／综合报导〕
据日本Mynavi News网站报导，日前在东京落幕的二○二○年IMEC科技论坛，比利时半导体
研究机构IMEC正式公布与荷兰半导体设备大厂艾斯摩尔（ ASML）合作研发的新一代高解析
度EUV曝光技术（ High NA EUV）；
根据公布内容，ASML对三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至小于一奈米制程，都做了清楚发
展规划，显示ASML已能开发一奈米制程的曝光设备。
摩尔定律（Moore’s law）指的是积体电路上可容纳电晶体数目，约每隔十八个月增加一倍
、性能也提升一倍，近几年来因电晶体尺寸缩小速度趋缓，业界对摩尔定律是否已到尽头争
论不断。
最快二○二二年商业化
IMEC执行长范登霍夫（Luc Van den Hove）透露，该机构与ASML共同开发High NA EUV已取
得突破，即使制程到达一奈米甚至更小，制程微缩化仍会继续，摩尔定律并不会停下来；
IMEC也在论坛上公布三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至小于一奈米的逻辑元件制程微缩路
线图。
晶圆代工大厂台积电和三星电子要投入二奈米以后的超精细制程，亟需高分辨率及高曝光设
备；ASML已完成高NA EUV曝光设备的基本设计，型号为NXE5000系列，商业化时间预定最快
在二○二二年左右，这套新一代曝光设备将因庞大的光学系统而变得非常巨大。
范登霍夫指出，逻辑元件制程微缩的目的在于降低功耗、提高效能、减少面积以及降低成本
；随着制程向三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至到一奈米以下发展，他们将继续开发微缩
制程技术，以满足对未来先进科技应用的需求。
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1416411
心得：
根据先前晶圆大工大厂台积电和三星电子介绍，从 7 奈米制程技术开始，部分制程技术已
经推出了 NA=0.33 的 EUV 曝光设备，
5 奈米制程技术也达成了频率的提升，
但对于 2 奈米以后的超精细制程技术，则还是需要能够达成更高的辨识率和更高 NA （NA=
0.55） 的曝光设备。
事实上，过去一直与 IMEC 紧密合作开发半导体曝光技术，但为了开发使用高 NA EUV 曝光
设备，ASML 在 IMEC 的园区内成立了新的“IMEC-ASML 高 NA EUV 实验室”，以达成共同
开发和开发使用高 NA EUV 曝光设备的相关技术。
而且，该公司还计划与材料供应商合作，进一步进行光罩和光阻剂。