大面积单晶技术大突破！台积电.交大登国际顶尖期刊
再来看到，传统半导体材料的物理极限即将到达，全球科学家试图探索新的材料来解决问
题，由台积电与交大组成的研究团队，成功开发出大面积晶圆尺寸的单晶氮化硼的成长技
术，未来有机会应用在先进逻辑制程技术，这项研究成果，还登上全球顶尖学术期刊《自
然》（Nature）。
交大电子物理系教授 张文豪：“硅的电晶体通道，会越做越薄，所以当到达几奈米厚度
的时候，其实电子开始就很难穿越通道。二维材料是一个大家认为是，很有可能解决这个
问题的关键材料。”
二维原子层半导体材料，厚度只有0.7奈米，是目前已知解决电晶体微缩瓶颈的方案之一
。如何使电子传输不受邻近材料干扰是重要关键，单原子层的氮化硼，是目前自然界最薄
的绝缘体，但合成技术遇到瓶颈，交大与台积电携手合作，找出解决方法。
交大电子物理系教授 张文豪：“找到一个，在做成非常大面积的铜的表面，而且在上面
可以到晶圆尺寸，让这些每个氮化硼的晶体都同向排列，最后连结起来，变成一个整面的
，只有0.7奈米的超薄绝缘体，这个可以运用在半导体的元件上面。”
交大与台积电合作，以基础科学理论，突破技术限制，这项研究还登上了顶尖学术期刊《
Nature》，未来有机会用在先进逻辑制程技术。
交大电子物理系教授张文豪：“做理论计算，我们确认我们可形成单晶铜的表面，实际上
氮化硼可在它的表面，形成真正的单晶，普遍认为说，应该不可能在上面形成单晶，以前
的人觉得不可能，所以我们才说是相当困难。”
台积电处长李连忠：“今天发表的成果，其实是要迈向未来电子里面，关键步骤，其中的
一部分，只有一个部分，还有很多关键需要突破，所以我们现在没有办法预估，什么时候
可以真正进行量产。”
科技部表示，台湾科技产业发展，仰赖坚实的基础科学研究做后盾，交大携手台积电，产
学合作登上全球顶尖学术期刊，具指标性意义。
http://www.ntdtv.com.tw/b5/20200321/video/266773.html