台积电与意法半导体合作加速市场采用GaN氮化镓产品
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晶圆代工龙头台积电(TSMC)及欧洲IDM大厂意法半导体（STMicroelectronics）于2020年2月20日共同宣布，双方将合作加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式GaN元件导入市场，抢攻电动车新商机。
透过此合作，意法半导体将采用台积电领先的氮化镓制程技术来生产其创新与策略性的氮化镓产品。
氮化镓是一种宽能隙半导体材料，相较于传统的硅基半导体，氮化镓能够提供显著的优势来支援功率应用，这些优势包括在更高功率获取更大的节能效益，以致功耗大幅降低；氮化镓技术也容许更多精简元件的设计以支援更小的尺寸外观。此外，相较于硅基元件，氮化镓元件切换速度增快达10倍，同时可以在更高的最高温度下运作，这些强大的材料本质特性让氮化镓广泛适用于具备100伏与650伏两种电压范畴之持续成长的汽车、工业、电信、以及特定消费性电子应用产品。
具体而言，相较于硅技术，功率氮化镓及氮化镓积体电路产品，在相同制程上具备更优异的效益，能够协助意法半导体提供中功率与高功率应用所需的解决方案，包括应用于油电混合车的转换器与充电器。功率氮化镓及氮化镓积体电路技术将协助消费型与商用型汽车朝向电气化的大趋势加速前进。
意法半导体预计今年(2020)内，将提供功率氮化镓分离式元件的首批样品给其主要客户，随后也将提供氮化镓积体电路产品。
结语
现今出现的两种半导体材料技术，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）可能改进电动车电子元件材料的问题。其实，SiC与GaN皆属于第三代宽能隙WBG材料，各有优缺点。
但在高压高功率部分GaN则不如SiC。历经多年发展，传统硅基半导体的薄膜、曝光、显影与蚀刻制程步骤，都已成功应用到化合物半导体制造上，加上生产成本降低，GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率元件。根据Yole Research估计，在900V以内的低压市场，GaN都有很大的应用潜力。
台厂业者在GaN半导体代工已有一定的实力，有：全新、稳懋、晶电。其中，晶电甚至可以做到从磊晶到芯片一条龙服务，实力有机会与台积电、世界先进并列。