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首度突破100层 SK海力士宣布128层NAND Flash开发量产
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SK海力士(SK Hynix)宣布领先业界，完成堆叠128层1Tb三阶储存单元(Triple Level Cell
；TLC)NAND Flash开发量产。回顾2018年10月，SK海力士才宣布完成堆叠96层NAND Flash
开发，2018年底进入量产，时隔不过8个月，SK海力士就顺利突破100层堆叠天险，领先业
界量产堆叠128层NAND Flash。
综合韩国经济等的报导，2018年10月SK海力士才表示成功研发，采用CTF(Charge Trap
Flash)与PUC(Peri Under Cell)堆叠96层NAND Flash，结合PUC与CTF记忆单元结构，大幅
改善产品功能与生产力，预定2018年底进行量产。
时隔短短8个月，SK海力士26日公开表示，已完成堆叠128层NAND Flash产品的开发量产，
新一代产品将较堆叠96层产品，生产性提升40%、投资效率提高60%，预计2019年下半开始
量产销售。
目前业界龙头三星电子(Samsung Electronics)，传正在开发堆叠128层NAND Flash产品，
就堆叠层数而言，SK海力士领先三星。SK海力士进一步透露，目前正在开发堆叠176层
NAND Flash产品，将与堆叠128层NAND Flash采用相同平台，期望持续透过技术优势，强
化NAND Flash事业竞争力。
心得/评论：
近期跌价虽然持续收敛，但除了最具成本竞争力的三星电子处于成本损益附近，其他NAND
厂商几乎都陷入赔钱生产，若下半年的价格跌势不止，甚至可能业界全面处于亏损，过去
2年来的风光获利将在2019年回吐以弥补亏损。