内存厂华邦电（2344）总经理詹东义于今日法说会表示，下一波的成长动力将随着高雄
新厂于2021年量产后正式爆发，由于台中厂空间已塞爆，扩充已到顶了，因此明后年的位
元成长率只会温和成长，而公司将持续积极布局利基性市场，特别是在市况不好时，希望
透过新产品带来新革命，进一步提升市占率。
詹东义表示，目前台中厂的产能扩充已经到顶了，已无空间扩产了，预估明后年的位元出
货量将温和成长，考量整体的生产效率、效应以及客户需求之下，台中厂的产能不会全部
转进更先进的制程，目前台中厂12吋的月产能为5.2万片，明年将提升至5.4万片，而未来
只要高雄厂投产之后，很多的限制都会被解除了。
在产品的技术与应用上，詹东义说，38奈米DDR3 DRAM于今年第3季的营收贡献持续提升，
而25奈米2G DDR3预计今年第4季量产。在Flash的部分，持续锁定Code Storage Flash市
场，并将推出高速、高品质的SLC NAND Flash取代中阶的NOR Flash产品。
詹东义也说，NOR Flash应用越来越多，包括无线耳机、智慧音箱、车用市场等等，车用
市场无庸置疑，电子化的程度一定为越来越高。
华邦电今年列出高雄12吋厂土建的资本支出为192亿元，至于设备的资本支出还没有，华
邦电希望高雄厂最快2020年兴建完成，2021年导入量产，希望新厂投入后第一阶段就要冲
上2.85万片的月产能。
华邦电原本预估今年资本支出为192亿元，降为178亿元，主要因为部份机器设备出货递延
。华邦电说明，目前许多设备的交期都很长，有些长达1年的时间，因此对方只要递延交
货，就会跟着递延付款。（杨喻斐╱台北报导）
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