三星宣布量产 90 层堆叠的第 5 代 V-NAND 快闪存储器
资料来源：https://technews.tw/2018/07/11/samsung-v-nand-with-over-90-layers/
全球内存龙头厂三星 10 日宣布，正式量产堆叠数高达 90 层的第 5 代 V-NAND 快闪记
忆体。此产品不但堆叠数为目前最高，且还首发 Toggle DDR 4.0 传输接口，使传输速率达
到 1.4Gbps。
三星 V-NAND 是 3D NAND 快闪存储器其中一种。目前市场主力还是堆叠数 64 层的第 4 代
V-NAND 快闪存储器。三星宣布正式量产的是第 5 代 V-NAND 快闪存储器，核心容量 256G
b 并不算高，但各项性能指标缺不能小觑。它是业界首发支援 Toggle DDR 4.0 传输接口的
V-NAND 快闪存储器，传送速率达到 1.4Gbps，相较过去 64 层堆叠的 V-NAND 快闪存储器
来说，足足提升了 40%。
除了采用新的传输接口提升速率，第 5 代 V-NAND 快闪存储器的性能、功耗也进一步优化
。工作电压从 1.8V 降至 1.2V，写入速度也是目前最快的 500us，比上一代 V-NAND 快闪
内存提升了 30%。读取速率的回应时间也缩短到 50us。
三星第 5 代 V-NAND 快闪存储器内部堆叠超过 90 层 CTF Cell 单元，是目前市面堆叠层
数最高的 3D NAND TLC 架构快闪存储器。这些储存单元透过微管道孔洞连接，每个孔洞只
有几百奈米宽，总计包含超过 850 亿个 CTF单元，每个单元可以储存 3 位元资料。
此外，第 5 代 V-NAND 快闪存储器在制程技术也有改进，制造生产效率提升了 30%。借由
先进制程技术，使每个快闪存储器单元的高度降低了 20%，减少单位之间干扰的发生率，提
高资料处理的效率。三星目前正加强第 5 代 V-NAND 快闪存储器量产，以便满足高密度储
存领域，包括高效能运算、企业服务器及行动装置市场的需求。
除了第 5 代 V-NAND 快闪存储器量产，三星目前还在扩展 V-NAND 快闪存储器，准备推出
核心容量高达 1Tb 的 NAND 快闪存储器，及 QLC 架构的快闪存储器产品，继续推动下一代
快闪存储器发展。