有很意外吗?看看去年的新闻,从Intel挖个张晓强,
就知道台积电会攻这一块利基市场
不过这边还是要推崇一下
Intel NVM (Non-volatile memory) / Phase Change RAM (PRAM)
延伸阅读:
Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology
https://newsroom.intel.com/news-releases/intel-and-micron-produce-breakthrough-memory-technology/
一文看懂3D Xpoint！它估将在未来引爆内存市场革命
http://news.cnyes.com/news/id/3806848
台积电、三星、英特尔“次世代内存”激战！内存市场已前进下一个时代
http://news.cnyes.com/news/id/3793651
挑战英特尔添火力 台积电五大战将出列
洋将、跳槽兵团助阵 人才、技术都就定位
http://www.wealth.com.tw/article_in.aspx?nid=9420
台积电拟投资49.1亿美元研发先进位程 挖英特尔顶级人才
https://read01.com/Aa4aJN.html
※ 引述《lazy321 ()》之铭言：
: 台积战三星 攻次世代内存
: 晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。台积电这次重返记忆
: 体市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般快
: 闪内存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值得密切关注。
: 台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛，首次揭露台积电研发多年的eMRAM（嵌入式
: 磁阻式随机存取内存）和eRRAM（嵌入式电阻式内存）分别订明后年进行风险性试产
: ，主要采用22奈米制程，这将是台积电因应物联网、行动装置、高速运算电脑和智慧汽车
: 等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。
: 这也是台积电共同执行长魏哲家向法人表达不会跨足标准型内存，不会角逐东芝分割成
: 立半导体公司股权后，台积电再次说明内存的战策布局，将瞄准效能比一般DRAM和储存
: 型快闪存储器（NAND Flash）的MRAM和RRAM。
: 稍早三星电子也在一场晶圆厂商论坛中发表该公司所研发的MRAM。三星目前也是全球中率
: 先可提供此次世代内存产品的内存厂，产品技术时程大幅领先台积电，三星的MRAM并
: 获恩智浦导入。
: 据了解，台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代内存研发，多年来因难度
: 高，商业化和竞争力远不如DRAM，导致多家厂商都都仅限于研发。
: 内存业者表示，次世代内存中，投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化内存
: （PRAM）等三大次世代内存，其中以MRAM的处理速度最快，但也是最难量产的内存类
: 型。
: 不过，在DRAM和NAND Flash制程已逼近极限，包括无人车、AI人工智能、高阶智慧型手机
: 和物联网等要求快速演算等功能，是台积电认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供
: 相关嵌入及整合其他异质芯片技术，进行商业化量产。
: https://money.udn.com/money/story/5612/2504234