华邦电拟建12吋新厂 已申请南科用地
联合
内存制造厂华邦电第1季获利滑落，每股纯益新台币0.19元。华邦电调高今年资本支出
金额至174亿元，并表示已申请南科用地，明年决定是否新建12吋晶圆厂。
华邦电第1季因受制于产能有限及汇率因素影响，合并营收104.25亿元，季减3%，毛利率
则攀高至29%，归属母公司净利6.87亿元，季减17%，每股纯益0.19元。
展望未来，华邦电表示，第2季编码型快闪存储器（NOR Flash）市况乐观，需求动能强劲
，预期今年NORFlash市场将会是很不错的一年。
只是华邦电重申，不会去赚机会财，将优先专注经营一线与重量级客户。
至于动态随机存取内存（DRAM）业务方面，华邦电认为，成长空间有限，预期业绩将较
去年持平，不过，获利应可改善。
因应制程技术推进，及去年递延付款影响，华邦电于2月法说会时即已宣布，今年资本支
出将达166亿元，今天进一步将今年资本支出金额调高至174亿元，刷新历年新高纪录。
由于台中厂产能不足，华邦电透露，已申请南科用地，并针对新建12吋晶圆厂展开评估，
预计明年会正式决定。
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