※ 引述《outzumin (阿呆铭)》之铭言：
: 推 rssh0106: 外星科技对这些大公司不难。难在于外星科技能不能量产。 03/31 23:
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: → rssh0106: 讲难听一点，MIT的东西也一堆外星科技，但能变成产品吗 03/31 23:
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: → rssh0106: ？ 03/31 23:
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: → rssh0106: 不能量产的技术，叫装饰品。养不起人的。 03/31 23:
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: 嘘 zhi5566: 别在开玩笑了 王者? 那就靠制成打败高通 nvidia啊 04/01 22:
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: → zhi5566: 事实就是手机被人屌打＋哭着回家说要改做哺哺 不完惹 04/01 22:
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: → zhi5566: 下单到代工 你以为你在叫饮料啊 里面藏了多少商业机密 04/01 22:
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: 推 zhi5566: 光这点注定i设只能帮展训 一些不重要的二三线打工 还一边 04/01 22:
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: 推 zhi5566: 靠背这些公司的能力有够烂 还要帮忙debug 04/01 22:
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: → zhi5566: 这些公司若是没特别突出 i设也就不被当一回事 04/01 22:
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: → zhi5566: 听说收购FPGA后 赛琳思业绩反而成长 制成王者 好厉害 04/01 22:
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: → zhi5566: 就是一个用ＰＣ思为 到处当凯子的公司 04/01 22:
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: → zhi5566: 这几年还得靠裁员撑业绩 i最会做没人用的东西 亡者 04/01 22:
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: 本来看到GG脑粉的各种秀下限 连打字都有点懒的回了…
: 但周末没事 大家就来讨论讨论
: 你们说Intel 专做没人会采用的技术 我就举几个例子
: 你再摸摸你的览趴 告诉我这些东西有没有人用
: 2003年Intel当时卡在90nm (GG当时卡在几nm我懒得查)
: 当时很多学界业界都在研究strained Si 但无一成功
: Intel研发出uniaxial Strained Si channel
: 当时也一堆人也是在喊 这技术就算成功也太贵 不能量产没人要用 三小的
: 结果Intel导入自己FAB开始生产 三年半后 每间半导体厂都copy此技术成为业界标准
: 2007年 Intel当时卡45nm 因为微缩造成gate穿隧漏电太大
: 业界研究普遍押宝Hi-K gate first process (因为跟当时的制程相容)
: Intel独排众议采用gate last + replacement metal gate
: 一开始时 也是一堆人靠北靠木说制成太复杂 太贵不可能量产 GG掰掰的
: 结果Intel自己开始量产3年后 所有半导体厂都copy此技术成为业界标准
: 2009年Intel在32nm 当时的后端制成开始变成chip 微缩的瓶颈
: Intel开始采用self-aligned via flow
: 三年半后每间半导体厂都copy此技术
: 2011年Intel在22nm 为了进一步增加电晶体密度及降低漏电
: Intel开始采用tri-gate结构 (也就是今日的FinFET)
: 在此之前学界早就提出tri-gate 但当时目光短浅的人也是喊不可能量产啦 太贵啦三小
的
: 只有Intel决定这就是芯片制造未来必须走的方向
: 结果在Intel开始量产3年后 又是一样的结果 GG开始copy
: (也就是GG所谓的16nm 但密度却没比自己的22nm planar MOSFET高多少)
: 而三爽花了更久时间才搞出14nm FinFET 自爆芯片 轰动全球
: 2014年 Intel开始推出第2代FinFET technology 采用SADP 进一步提高密度及效能
: (这不是Intel发明的 但却是第一个用在逻辑制成来量产的)
FINFET发明人胡正明曾是GG技术长
怎么不说intel学人精
另外没有林本坚提出的immersion
intel还卡在60/65等EUV吧 厂厂
: 再Intel 量产了三年后 在本年度GG要推出的10nm FinFET “预期”会采用此技术
: (也有可能不会 继续采用原本的多重曝光制程 而在下一代直接跳EUV)
: 今天讲这些不是要吹嘘Intel有多成功 毕竟有成功就会有失败
: WIMAX, mobile 都是让Intel栽了不小的跟斗
: 绘图芯片intel也是太晚才起步 以及太固执再X86而失去先机
: 这些失败例子大家都知道 R&D本来就是一种投资
: 而投资有赚就有赔 谁能保证投资只赚不赔
: 你们这种嘲笑Intel投资失利的思维 跟标准台湾惯老板有何不同
: 难怪台湾没有真正的RD
: 回归正题 到半导体制程的技术开发上
: Intel在这领域的贡献 不是你们几个无知的学生脑粉喊喊就可以被忽略的
: 如果你们是GG的员工 那我只能替GG感到悲哀
: 竟然请到这种素质的 连做点基本功课都不会 抠联捏

但是提出finfet概念的时候是Berkeley教授呢。intel看看Berkeley paper不行吗？

连中文都看不懂的人我也懒得讲了 我哪里讲FinFET是Intel发明的?

先抄先赢囉 intel粉厂厂没GG intel还在等EUV做40/45

部过你说的也没错 immersion的确是超大突破 用到现在还没有好的替代方案EUV是绝对无法取代immersion的你知道为何吗?EUV只在关键几个步骤可以省光罩数 其他都只是增加成本以成本来说 最终3大晶圆制造商走入18吋晶圆都是必然的EUV却不是必备的

18吋喊了又缩喊了又缩，还有哪些厂商想开发机台

那些厂商我没有清单 部过以半导体设备业的营收来看各大厂一定都有再开发 毕竟GG SAS INTC都还在布局先进制程

高下立判

我要讲的是 不要以为谁有EUV谁就可以称霸这不是武侠小说 现实是很残酷的

Intel在没immersion的时后计画是double patterning。先发明immersion又把发表finfet 的其中一个作者挖走，肯定所有新feature都是领先量产的吧！

EUV能量转换效率太低蛮浪费的

胡正明与其他教授一起在berkeley发表的 之后才去台积原来这样算是台积发表的呀 长见识了

胡正明一人搞个鸟 一堆专利都在以色列咧 怎不说以色列他妈妈生出来的

有弱到..

胡正明跟施敏谁会先得诺贝尔奖? 有八卦吗

....

Hi 某o 你对于EUV跟18吋的认知完全跟业界颠倒18吋ㄧ定是dram厂先有 soc才会跟进

乡民：不是都代工，哪需要技术IC designer： 那是什么？ 有我们design 厉害吗？

18吋，慢慢等吧。。。

外行.intel跟台积各自在几奈米导入湿显影? 懂了吗?

Imm只要一台两级放大的雷射就推得动 EUV......

18吋已经没了啦

18吋载台某N某A都预留好升级空间了啦，只是你觉得那么大尺寸的东西还要尬上先进制程，边缘chip的良率吼……颗颗

抓小辫子的GG粉又来囉，GG最强了好不好~

浸润式确实厉害，GG从45/40开始用，intel从32才开始2007IEDM上，intel还特地说明他们的45制程用的是dry

我觉得原PO看不懂其中意义, 楼上.

TEL有在做18吋的机台

“曾是”

说会有18吋的，可以去看看SUNY poly现在搞得怎样，ㄎ