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韩国三星电子日前罕见地在美国Santa Clara举办的“Flash Memory Summit 2016”公开尚
未量产的1TB容量的Z NAND SSD（如图一）产品。此举被半导体业者解读为想要牵制Intel
与美光阵营。由于先前Intel大动作宣布要再进入睽违30年的内存市场，并与美光合作推
出新型3D Memory Cross Point产品。业界推测此举让三星电子倍感压力，故不得不提前把
尚在开发中的产品消息公开，试图杜绝Intel与美光联手改变SSD市场版图。
三星电子这次公开Z NAND SSD是适合高性能数据中心（Data Center）使用的内存，与三
星电子现行产品的技术地图方向不同。由于Z NAND SSD是采用三星电子特有的3D垂直构造
的V NAND芯片，连续读取速度为每秒2.56GB、延迟速度仅7.5微秒，相较于三星现有的SSD
产品，连续读取速度快上1.6倍、延迟速度缩短了4倍，此产品预计会在年底前量产上市。
此外，内存部门还表态次世代的主力产品将会是64层的512GB NAND Flash产品。
Intel与美光开发出相变化内存（PRAM）类型的Cross Point技术，并藉以制造出新型SSD
产品，使得SSD市场龙头的三星电子不得不提前把和功能相仿的Z NAND SSD提前亮相。尽管
Z NAND SSD尚未明确上市日期，但售价预计会比现有的TLC Flash贵、比Cross Point便宜
，借此让三星电子的性价比更具市场竞争力。毕竟三星电子的V NAND技术已经成熟且取得
相关业者的肯定，但Intel的Cross Point技术是性能尚未实际验证过的新兴技术，在价格
相对偏高的情况下，客户的选择显而易见。
三星电子如此看重SSD市场是因为DRAM价格持续下跌，导致半导体的利润大幅缩水，反而高
性能SSD市场因为大数据兴起，数据中心设立增加进而促使SSD市场规模急速上升。根据市
场调查机构Gartner的报告，全球SSD市场规模可望从2013年的110亿美元成长到2017年的
235亿美元，SSD占全球储存装置的比重也已经从2010年的6.5%提高到2014年的31.5%，预计
2016年时的比重将会超过50%，可以说掌握SSD市场就能掌握半导体市场。
在所有SSD产品当中利润最高的产品就是SSD，倘若高性能SSD市场被Intel抢走，三星电子
将失去SSD市场的主导权，更甚而失去半导体龙头宝座，那么韩国经济恐将面临崩盘危机。