※ 引述《rachel5566 (rachel5566)》之铭言：
: 重回摩尔定律两大武器 EUV＋三五族成大势所趋
: 2016年04月05日 04:09 涂志豪／台北报导
: 英特尔在14奈米及10奈米制程推进出现延迟，已影响到处理器推出时程，也让业界及市
场
: 质疑：摩尔定律是否已达极限？不过，英特尔仍积极寻求在7奈米时代重回摩尔定律的
方
: 法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光（EUV），以及开
始
: 采用包括砷化铟镓（InGaAs）及磷化铟（InP）等三五族半导体材料。
: 摩尔定律能否持续走下去，主要关键在于微影技术难度愈来愈高。目前包括英特尔、台
积
: 电、三星等大厂，主要采用多重曝光（multi-patterning）的浸润式微影（immersion
: lithography）技术，但当制程技术走到10奈米世代时，高密度的逻辑IC需要进行至少4
次
: 的曝光制程，制造成本自然大幅拉高。
: 为了解决微影曝光制程的成本问题，半导体大厂近几年已着手进行EUV微影技术的研发
，
: 近一年来，EUV技术虽然有明显突破，但在量产上仍未达到该有的经济规模。不过，根
据
: EUV设备大厂艾司摩尔（ASML）的说明，今年若能将每日曝光晶圆产能提高到超过1,500
片
: ，将有助于业界开始采用EUV技术。
: 英特尔已规画在7奈米制程开始采用EUV技术，若是可以达到量产经济规模，则英特尔可
望
: 在7奈米世代重新回到摩尔定律的循环。至于台积电部份，已计画在7奈米开始进行试产
，
: 若一切顺利，将可在5奈米世代开始导入EUV技术。不论英特尔或台积电，EUV量产的时
间
: 点约落在2020年左右。
: 半导体材料也是延续摩尔定律的重要改变。英特尔已开始试着采用包括砷化铟镓（InGa
As
: ）及磷化铟（InP）等三五族半导体材料，希望能够在7奈米之后进行材料上的改变，只
要
: 能重回摩尔定律的循环，英特尔的处理器发展策略就可回到二年循环的轨道。
: 台积电16奈米开始采用鳍式场效电晶体（FinFET）制程，而10奈米及7奈米世将延续采
用
: FinFET技术，而到5奈米之后，也已计画更改半导体材料。据了解，台积电很有可能会
在5
: 奈米世代采用InGaAs的三五族半导体材料，来维持摩尔定律的有效性。
: http://www.chinatimes.com/newspapers/20160405000104-260204
三五族要克服的事情太多，成本需要太高，光是要沉积一层品质好的氧化层就很难了，不
然的确也很多优点，崩溃电压及操作速度都是把硅八假的，当然是会把三五族长在硅上，
但因为晶格常数跟硅有差，要多涨很多buffer layer,相当花成本啊