重回摩尔定律两大武器 EUV+三五族成大势所趋
2016年04月05日 04:09 涂志豪/台北报导
英特尔在14奈米及10奈米制程推进出现延迟,已影响到处理器推出时程,也让业界及市场
质疑:摩尔定律是否已达极限?不过,英特尔仍积极寻求在7奈米时代重回摩尔定律的方
法,其中两大武器,分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光(EUV),以及开始
采用包括砷化铟镓(InGaAs)及磷化铟(InP)等三五族半导体材料。
摩尔定律能否持续走下去,主要关键在于微影技术难度愈来愈高。目前包括英特尔、台积
电、三星等大厂,主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸润式微影(immersion
lithography)技术,但当制程技术走到10奈米世代时,高密度的逻辑IC需要进行至少4次
的曝光制程,制造成本自然大幅拉高。
为了解决微影曝光制程的成本问题,半导体大厂近几年已着手进行EUV微影技术的研发,
近一年来,EUV技术虽然有明显突破,但在量产上仍未达到该有的经济规模。不过,根据
EUV设备大厂艾司摩尔(ASML)的说明,今年若能将每日曝光晶圆产能提高到超过1,500片
,将有助于业界开始采用EUV技术。
英特尔已规画在7奈米制程开始采用EUV技术,若是可以达到量产经济规模,则英特尔可望
在7奈米世代重新回到摩尔定律的循环。至于台积电部份,已计画在7奈米开始进行试产,
若一切顺利,将可在5奈米世代开始导入EUV技术。不论英特尔或台积电,EUV量产的时间
点约落在2020年左右。
半导体材料也是延续摩尔定律的重要改变。英特尔已开始试着采用包括砷化铟镓(InGaAs
)及磷化铟(InP)等三五族半导体材料,希望能够在7奈米之后进行材料上的改变,只要
能重回摩尔定律的循环,英特尔的处理器发展策略就可回到二年循环的轨道。
台积电16奈米开始采用鳍式场效电晶体(FinFET)制程,而10奈米及7奈米世将延续采用
FinFET技术,而到5奈米之后,也已计画更改半导体材料。据了解,台积电很有可能会在5
奈米世代采用InGaAs的三五族半导体材料,来维持摩尔定律的有效性。
http://www.chinatimes.com/newspapers/20160405000104-260204