三星电子创造了许多世界第一：世界最早的 64M DRAM（1992）、第一颗256M动态存储器
（1994）、第一个22英寸TET-LCD（1995）、....、第一颗2 GB快闪存储器芯片（2005）
、第一个16GB内存（2005）等。台积电创造了什么？是台湾人远比韩国人笨？还是台湾
的企业家远比韩国没气魄？
彭教授提到这些三星的第一 技术上是三星原创的???
还是三星在这些所谓第一上面 制程上有何独特的改良突破???
我不认为彭教授举出三星的这些第一
会比台积电林本坚博士当初提出"润浸式曝光"的突破与创意更大...
当然如果彭教授是举外星科技的i社的一些制程创意
例如:现在3D的FinFET结构
或是当初45nm 利用SiGe填入PFET S/D 给予压应力的应用
还是65nm 利用SiN CESL film去给予Si channel strain改变电子传输率
这些才是真正在制程上有特殊创意的地方 基础科学也要够强...
(我猜彭教授应该也不懂这些...)
※ 引述《esp0213 (得了一种不科科会死的病꼩》之铭言：
: 这边有比较详尽的叙述
: http://mhperng.blogspot.tw/2015/06/ceo.html
: http://opinion.cw.com.tw/blog/profile/30/article/2964
: fyr
作者:
YKM519 (来聊天吧)
2015-06-22 00:04:00你说这个太专业了大概会被无视
作者:
br2658 (brian)
2015-06-22 00:12:00INTEL真的很猛...不过FinFET不是INTEL提出的就是了
作者:
LOVEMS (ç‰åˆ°è¶ŠéŽå¤©ç©ºé‚£å¤©)
2015-06-22 00:24:00原文讲的都是产品而非技术，我觉得可以讲浸润式技术最先应用的产品会比较好对照所以台积可以这样宣称呀，不说出来实在太低调了，结果这样列出来的第一都是三星的，抹灭了台积的原创性
作者: deltarobot (翻出来比大只小只啊) 2015-06-22 01:23:00
学界跟业界本来就有个很大的gap在 看完笑笑就好
作者: IssacYCSu (哈佛古天乐) 2015-06-22 01:47:00
FinFET的专家以前在gg当技术长 现在在Berkeely EE
作者:
mlda888 ((╭￣3￣)╭♡ )
2015-06-22 02:07:00彭教授之前有出一本书，不知道你有没有看过，通篇废文妳可以找来拜读看看XD
作者:
osbsd1 (封棋-勿找)
2015-06-22 03:46:00台积还不都切i社的wafer来抄 ㄎㄎ就像运动比赛 你做你的 我学你的 还不都一样?
作者:
joh (30分灭一国的匈奴)
2015-06-22 07:33:00看看他知前面对核能问题都被黄士修打到逃走了你就知道这个人专业领域上如何了...
作者:
leacks (天行者)
2015-06-22 08:36:00一个机械系教授讨论电子业，不用跟他认真
作者:
ZXCWS (两分铜币)
2015-06-22 08:42:00他不懂 这都偏制程改善台湾很多认为制程改善只是代工而已
作者:
mico409 (mico)
2015-06-22 09:47:00某些东西做出来不困难 困难是如何量产加上维持良率~学者当然是打打嘴砲可以 但是真的把东西量产难道没功劳吗
作者:
damm (Anubis)
2015-06-22 12:12:00都有功劳……但是因此自满则不予置评
作者:
kurtdh (Kurt)
2015-06-22 12:33:00感谢分享
他战点太门外汉了 如果用轮班星人切入就正解啦在一个狮子都吃香蕉的岛上出了香蕉的公司~~
Cheming Hu 在1992年左右提出FinFET的概念，后来三维结构的电晶体开始慢慢被研究，I公司 后来自己所做的三维电晶体是称Tri-Gate transistor，不过基础的元件作动原理是类似的
你讲的那些都不是i社原创，其实连HKMG也都不是原创i社真正强的地方是看出技术真正的趋势，并引入可行的技术成功量产
作者: qui (Paris Je t'aime) 2015-06-22 23:16:00
觉得不用理他,这讨论串也太久,不懂的人在批评,要原谅他的不懂
作者:
syhsu (as)
2015-06-23 04:34:00FinFET是胡振明院士发明的
彭明辉？单位都搞错了1000倍，还敢宣称自己的结论没错，死不承认错误，枉为机械系的教授