全球非挥发性内存（Non-Volatile Memory）解决方案领导厂商旺宏电子
（股票代号: 2337）今(29)日宣布，其先进的十二吋晶圆厂已开始研发制造
第二代36奈米 Single-Level Cell（SLC）NAND型快闪存储器系列产品。
这一最新SLC NAND Flash包含3V及1.8V两个系列，存储容量横跨1Gb至8Gb。
旺宏同时推出NAND-based MCP(Multi-Chip Package)产品，以提供客户更完整的
NAND Flash产品解决方案，满足嵌入式及无线网络市场广泛的应用需求。
随着消费性电子产品功能日趋多样化，其内建的操作系统亦越显复杂，带动嵌入
式市场对于高容量、高效能快闪存储器需求的快速成长。旺宏推出的SLC NAND
Flash，依此市场趋势应运而生，不但性能卓越，具高可靠度，且产品容量及操
作温度范围更广，并享有旺宏自有晶圆厂的长期技术支持。
旺宏电子行销副总经理倪福隆表示：“旺宏第二代36奈米SLC NAND系列产品，
搭配原有的第一代512Mb及1Gb产品，能提供客户更完备的产品组合及解决方案，
并更加巩固旺宏在嵌入式市场现有的领导地位。旺宏以自有的研发技术，从既有
的Parallel NOR、Serial NOR及XtraROMR产品线，再进一步延伸至NAND，此一产
品开发策略与规划，充分展现旺宏长期致力于提供高效能非挥发性内存产品解
决方案的承诺，将能满足客户对先进可靠之嵌入式快闪存储内存日益殷切的需求。”
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别人都玩到 19奈米以下, 36奈米还需要发新闻稿?? 炒股票吗??
3D flash 才是必杀大绝招, 说好2014量产? 连个鬼影都还看见!
把制成开发人员全部关进作战室吧!