※ 引述《scitamehtam (新竹恐牙狼)》之铭言：
: ASML强敌来了！陆“EUV关键技术”大突破 下一步国产曝光机？
: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20250118000073-260410
: 哈尔滨工业大学（哈工大）近日宣布，已成功研发出13.5奈米极紫外光（EUV）光源技术
: ，打破此领域由美国企业垄断的局面，也为大陆的国产EUV曝光机制造点亮了一线曙光。
: 此消息一出，对于掌握EUV曝光机主导地位的ASML（艾司摩尔）来说始料未及，该公司先
: 前曾强调，EUV机台的开发仰赖超过40个国家、数百家供应商技术的汇集。
发表一些自己的看法，给大家批判。
先说我自己的结论：
中国在科研领域确实有一些成果，但和ASML的差距仍然是非常的巨大。
ASML的CEO之前说‘和西方的差距有10-15年’其实并不夸张。[1]
首先哈工大并没有像ASML一样，完全地掌握EUV光源技术，
这个甚至很多中国的自媒体都有提到。
EUV的光源系统有多条技术路线：
1. 同步辐射
2. FEL
3. LPP
4. DPP
5. LDP
其中LPP和DPP是比较有商用可能性的，目前ASML的EUV光源系统采用的LPP技术路线，
而哈工大取的进展的是ASML曾经舍弃的DPP路线，
而且这仅仅是在DPP的研究上取得一些成果，距离可以商用，并且用于量产，
可能还需要很长的一段时间。
所以我们才说哈工大并没有完全地掌握EUV光源技术。
那中国要掌握EUV光源技术大概需要多久呢？
我们可以参考过去技术突破的一些案例。
比方说几周前大日本印刷DNP有技术突破，开发出给High-NA EUV用的1奈米光罩[2]，
但同时也提到预计在2027年才能用于2奈米的量产，并在2030年才能用于1奈米的量产。
又比方说在2023年底，佳能开发出号称可以用于2奈米压印(NIL)设备，
但目前仅锴侠用于15奈米的NAND快闪存储器制造上，
并且计划在2025年用于5奈米的NAND快闪存储器制造， [3]
并没有提到NIL什么时候可以用在2奈米的量产。
所以一个技术的突破，到可以商用量产，花个3-5年，那是很正常的。
更何况哈工大取的进展的是ASML曾经舍弃的DPP技术路线，
还不是目前正在用的LPP技术路线。
如果中国能花5年追上ASML目前的EUV光源技术，那已经是很了不起的成就了。
但那也仅仅是突破光源技术而已......
EUV曝光机有5000+个供应商，数10万个零部件，光源技术仅仅是EUV的核心零件之一。
EUV曝光机的核心零件包含但不限于：
光源系统：美国Cymer，日本Gigaphoton
镜头：德国蔡司
光罩：美国Photronics，日本DNP
双工作台：日本东京威力科创
真空仪器仪表：美国BrooksAutomation
离子注入机套件：美国AxcelisTechnologies
…等等
台湾的汉微科和信邦电子也都有提供零部件给ASML。
而这些提供零部件给ASML的公司，很多都是该领域的一方之霸。
所以人们才说EUV曝光机是皇冠上的珍珠，是人类智慧的结晶，
很难由一个国家单独制造出来。
当然，这5000+个供应商，中国未必全部都要攻克，
也许有些零件不在制裁清单上面，用买的也可以。
如果中国在5-10年内做出一台EUV的样机，
我并不会感到太讶异(但从样机到可以量产，可能还要再花个3-5年)
因为尼康就曾在2007-2008年左右就做出EUV的样机， [4]
只因研发成本昂贵，又无法在商业上取的进展，最终放弃了EUV的开发。
我的结论是，中国在科研领域确实有一些成果，但和ASML的差距仍然是非常的巨大。
ASML的CEO之前说‘和西方的差距有10-15年’其实并不夸张。[1]
如果中国有无限的资金，花个10-15年赶上现在的ASML，也许真有可能。
Reference:
[1] https://reurl.cc/5DEV8z
[2] https://reurl.cc/M6G9Rk
[3] https://biglegsrabbit.blogspot.com/2025/01/nil.html
[4] https://www.163.com/dy/article/HVFS9PFI0553OSM3.html