原文标题：大摩示警 内存寒冬到
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发布时间：2021-08-13 04:01
原文内容：摩根士丹利证券最新报告以“内存寒冬来临”为大标，示警DRAM景气浮现反转讯号，将
因此影响价格更强势的编码型快闪存储器（NOR Flash）行情。
大摩并且只推荐高纯度NOR Flash厂，同时上调陆商兆易创新目标价，下修南亚科（2408
）、旺宏及华邦等台厂评级至“中立”。
大摩列举五点说明DRAM景气将从高峰反转，首先是今、明年资本支出成长幅度已经低于前
次景气高峰，2017至2018年全球资本支出增幅各为23%、72%，但2021至2022年将下滑到
17%及10%，隐含市场恐供过于求。
第二是国际经济虽然复苏，然内存循环通常独立发展，明年经济成长影响有限，反观零
组件短缺严重压抑需求。三是大摩预测，DRAM报价自明年走跌，内存厂要延续成长的难
度极高。
第四，内存股已不便宜，大摩认为，DRAM报价在今年触顶后，会从中期循环进入晚期循
环，而现阶段内存股的评价普遍在中期循环平均值以上一个标准差。第五是亚洲内存
厂的风险报酬比也不再具吸引力，特别是亚洲PMI有触顶迹象，未来全球货币政策紧缩也
不利股市评价。
大摩预测，近期DRAM报价将持续上涨，但第3季可能就是这波的“顶”，明年步入供过于
求的跌价循环，相对地，NAND和NOR Flash通常同步DRAM景气发展，但这两个领域的供需
较为健康，NAND客户在手库存也不像DRAM那么多，NOR Flash另有陆厂减产和PC需求优于
预期利多，两类内存价格可望偏强到年底。
NOR Flash方面，大摩仍预期，第3季价格较第2季上扬10%至20%，部分规格上看25%，第4
季受惠高密度NOR Flash需求强劲支撑整体报价再调升高个位数，明年上半年虽可能转跌
，但调整幅度低于DRAM。
大摩因而将南亚科目标价自95元降至75元，旺宏目标价从54元降至44元，华邦电由40元降
到33元。另将NAND概念股群联、慧荣从“劣于大盘”升至“中立”，目标价上修到528元
、78美元。晶圆代工厂重申力积电“劣于大盘”。
海外内存厂部分，大摩对海力士跳评砍到“劣于大盘”，美光降至“中立”，仅喊买兆
易创新、三星电子和Western Digital。
旺宏虽也受益于NOR报价持续调升，但扩产3D NAND芯片令人担心长线动能降低，预估明、
后年每股纯益将从今年的5.77元下滑到5.5元、5.2元。
华邦获大摩调升获利预测，但顾虑DRAM报价衰退抵销NOR和MCU成长效益，预估本益比下修
，今、明、后年每股纯益预估为3.68元、3.6元、2.96元。
心得/评论：今天恐慌下杀的同时，有仔细看过新闻吗?是利多还是利空?
1.大摩并且只推荐高纯度NOR Flash厂，同时上调陆商兆易创新目标价，下修南亚科（2408
）、旺宏及华邦等台厂评级至“中立”。
谁是NOR Flash厂市占第一名呢?
2.NOR Flash另有陆厂减产和PC需求优于预期利多，两类内存价格可望偏强到年底。
3.NOR Flash方面，大摩仍预期，第3季价格较第2季上扬10%至20%，部分规格上看25%，第4
季受惠高密度NOR Flash需求强劲支撑整体报价再调升高个位数，明年上半年虽可能转跌
，但调整幅度低于DRAM。
4.华邦电由40元降到33元。
5.华邦获大摩调升获利预测，但顾虑DRAM报价衰退抵销NOR和MCU成长效益，预估本益比下修
，今、明、后年每股纯益预估为3.68元、3.6元、2.96元。
H1 EPS为1.2，H2获利2.48，倍增欧；明年如果晶圆厂持续供不应求，有些内存厂可以
转晶圆制程，有可能持续涨价欧，加上明年华邦电高雄新厂产能开出，就算报价持平，
获利也是增加的。