最近在看了些讲光学的文章，发表些心得。
ps我不是半导体专业，如果有错烦请佛心纠正。
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http://en.wikipedia.org/wiki/Diffraction-limited_system
因为光会衍射、绕射。所以就算你的光学设备做到完美，你最小只能把光点聚到直径为d的
光点。
d=波长/(2*介质折射率*sin)
sin的角为此图的角：
http://en.wikipedia.org/wiki/File:Numerical_aperture.svg
目前主流的曝光显影机台，是用193奈米的紫外线。所以在空气中做，最小只能在wafer上
打出直径为96.5奈米的光点。
如果你想在96.5奈米的宽度内画两条线，可能两条线会糊在一起。
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怎么办呢？
把wafer和透镜泡在水中做，水的折射率是1.33，所以可以把光点的直径缩到72.56奈米。
然后再进一步，因为并不是wafer照到光的地方就会产生蚀刻，要受光度大于门槛值才会。
所以可以用“相位偏移光罩”，让两道光中间本来会糊在一起的部份，产生破坏性干射，
这样就可以让两条很近的线之间的地方受光度小于门槛值。
http://pkl.narapia.com/english/product/product14.html
这样可以让实际做出来的一个点的直径变成d的0.27倍~0.38倍，所以达到27.57奈米。
不过泡水会减弱光的强度，所以蚀刻的深度可能会太浅。“相位偏移光罩”会让光罩上的
图变得更复杂。
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所以，如果要用波长193奈米的机台硬做20奈米以下，应该是很困难的事。
工程师们，辛苦了！
延伸阅读：爱司摩尔谈机台
http://www.sec.gov/Archives/edgar/data/937966/000114420407005498/exhibit99-1.htm
注：
台GG和intel他们在比的28奈米、20奈米。指的是芯片上的gate可以做多细，所以那个28奈
米、20奈米指的是图上的gate length。


芯片上面有三个基本元件：gate、source、drain，胖瘦不一样，所以大家统一比gate的尺
寸。
贴些实际的照片：


http://lsm.epfl.ch/files/content/sites/lsm/files/shared/SEM/Al%20stenciled%20FinFET_sacchetto.jpg

重点是要能量产

你们自己去Lawrence Berkeley National Laboratory

http://goo.gl/NOekfW 2001年就有了

不是什么天才是台湾没有去培养相关人才

去数字版乱喇赛的时间可以多学习谁要?

自己不学说别人是天才问题很大