课程名称︰特用化半导体元件技术
课程性质︰选修
课程教师︰魏拯华
开课学院：电资学院
开课系所︰电机工程学研究所
考试日期（年月日）︰111/4
考试时限（分钟）：120
试题 :
1. 说明GMR/TMR两种磁阻元件之机制差别，以及优缺点(各列两个)
2. 写出在MRAM device中 Field write / STT / SOT 三种元件之机制差别，以及优缺点(各列两
个)
3. 说明铁磁、反铁磁、非铁磁三种材料的差别
4. 在MRAM或磁性元件中，影响元件词特性的能量项目有哪些(至少写出三项)?其中作用距离较
短的是哪一项?
5. 当好的MTJ薄膜被图形化变成MTJ cell后，MTJ cell的H_in、H_c数值是否有变化?如果有，原
因为何?如何改善?
6. 当MRMA由室温降到低温时，TMR与写入电压会如何变化?原因为何?升高TMR与写电压会如
何变化?
7. 影响MRAM的Thermal Stability Factor主要参数为何?只有free layer材料种类、厚度、组合可
以变动时，如何增加Thermal Stability Factor?
8. 写出下图之五种点各自代表所完成之MRAM呈现哪种效应或特性，并针对其做简单说明。
https://imgur.com/a/mP54Dn4