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苹果日报
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创意首推16奈米IP
设计突破 采台积电16 FF制程
可望领先
【萧文康╱台北报导】创意电子（3443）昨宣布，DDR4硅智财（IP）采用台积电（2330）
16奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程技术，并成功通过芯片验证，为创意第1个16奈米
IP，对于16奈米制程进展，创意总经理赖俊豪日前指出，创意16奈米制程有机会领先，也
可与全国无晶圆厂设计公司（fabless）并驾齐驱。
针对新产品的效能上，创意指出，16奈米DDR4实体层（PHY）IP运作速度达每秒3.2Gb，较
DDR3的IP提高了50%，且同一速度的功耗降低了25%，16奈米DDR4 PHY IP与DDR4动态随机
存取内存连接时，在同一速度下，可较同一规格的28奈米DDR3 IP降低40%核心功耗。创
意16FF DDR4 IP成果于4月22日在台积北美技术研讨会上亮相。
可用于高速网络架构
另外，16FF DDR4 IP内建PHY自动训练模式，不但容易启动、可节省验证时间且可使资料
撷取定位达最佳化，此测试芯片是采用日月光（2311）的覆晶封装技术及南亚电路板（
8046）制造的增层覆晶载板，新IP未来可能运用于各种高速网络架构和服务器应用。
创意总经理赖俊豪表示，这次推出的16奈米IP代表真正设计的突破，这是目前创意电子采
用台积电16 FF制程技术最快速的IP，也代表先进技术设计人员能够尽快展开新一代装置
设计工作的绝佳良机。
创意首季税后纯益1.38亿元，季减3.14%，每股纯益（Earnings Per Share，EPS） 1.03
元；4月营收6.03亿元，月减27%。
对于全年展望上，赖俊豪日前在法说会上表示，从基本盘来看，包括NRE（委托设计代工
）、Turnkey（设计转成品）及IP3大产品线表现都会比去年好，其中，NRE成长会比去年
显著成长，主要是去年28奈米没Tape out（设计定案）的可望延到今年Tape out，而20奈
米产品年中将可Tape out，NRE业绩今年会比去年高出很多。
在Turnkey方面，去年7月后有游戏机等新产品量产，今年Turnkey在游戏机方面可望全年
有贡献，此外，预期今年2~3个新产品包括电视、投影机等产品量产，而旧客户的平板电
脑会也有新的产品量产。
创意近来营收走势
今年IP业绩乐观看
在IP方面，赖俊豪说，原占营收比重极小，但已看到有些客户将创意也当成IP供应者，因
此预测今年IP业绩表现乐观，也会是今年主要成长力来源之一。而今年创意研发费用将聚
焦在20/16奈米，未来将延伸到电视及投影机、USB，网通领域的IP，今年会陆续推出。
创意预计5月29日举行股东会，市场预期，将对股东进一步说明第3季展望。
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