※ 引述《doourbest23 (miaw)》之铭言：
: 如题
: 请问大大知道Pattern Density effect吗?(也有人称为Loading effect)
: 知道Pattern Density与u-trench/fence/facet的关系吗?
: Pattern Density 与EPD(End point detection)之间有何关系吗?
键盘工程师大概讲一下 有讲错的话请专业人士出来指正感谢
Loading effect在蚀刻过程指的是pattern的分布差异在蚀刻过程中造成的
蚀刻速度, sidewall polymer沉积速率的影响.
比如说, 现在蚀刻的图形是孔洞(Via hole), 在孔洞密集分布的区域和孔洞
分散的区域蚀刻时的速度和sidewall polymer沉积速率的表现是不一样的.
ex: 密集分布区 孔洞分散区
O O O O O O
O O O O O
O O O O O O
O O O O O
O O O O O O
这两种不同的图形polymer沉积表现会不同.
想像polymer是灰尘, 同样数量的灰尘掉下来在左边的图形 和右边的图形区域
最后单一孔洞里两边的灰尘数量一定是右边比较多.
因为灰尘被均匀分散到一大堆的孔洞里了.
这里举的例子是所谓的Macro loading effect. 就是在图形密集/分散的表现差异.
Micro loading effect则是图形的大小差异造成
ex: 大洞洞 小洞洞
○ 。
一看就知道小洞洞比大洞洞容易被sidewall polymer(灰尘)
塞满满的弄得不要不要的然后就etch stop了对吧?
Pattern Density与u-trench/fence/facet的关系请问知道的人 u-trench/fence/facet
这个我不熟
Pattern Density 与EPD(End point detection)之间关系
以line etch举例, Pattern Density越高表示整片wafer要蚀刻的区域越小, EPD秒数
会越短, 因为要蚀刻的区域少.反之要蚀刻区域越多EPD就要花更长时间才行.
大概4这样 给你作参考