https://www.epochtimes.com/b5/25/12/25/n14662073.htm
三星前高管等10人被起诉 涉向中国泄芯片技术
【大纪元2025年12月25日讯】（大纪元记者王君宜综合报导）韩国检方日前以涉嫌非法向
中国转移国家核心半导体技术为由，正式起诉包括三星电子前高管与工程人员在内的10名
被告。案件焦点直指中国内存芯片制造商长鑫存储科技（CXMT），凸显在全球存储芯片竞
争日益白热化之际，技术机密外泄已被视为国家级安全事件。
检方调查认定，涉案人员在2016年至2023年间，长期、系统性地将三星全球率先开发的10
纳米级DRAM（dynamic random-access memory，动态随机存储器）制程技术非法外泄至中
国，对韩国半导体产业与国家技术安全造成重大损害。
10纳米级DRAM核心技术遭“整体外流”
据韩国半导体专业媒体The Elec报导，首尔中央地方检察厅资讯技术犯罪调查部周二（12
月23日）通报，涉案核心人物为曾任三星电子研发要职、后出任长鑫存储开发负责人的A
某（真实名字未公开）。A某在长鑫存储全面主导10纳米级DRAM技术研发，涉嫌违反《产
业技术保护法》，将韩国国家核心技术输出海外，已被羁押起诉。
与其共同参与10纳米级DRAM研发的4名核心工程师亦被羁押起诉，另有5名分项研发负责人
以不羁押方式起诉。
检方指出，长鑫存储是在中共当局投入钜额资金支持下成立的中国首家也是目前唯一的
DRAM制造商，其在10纳米级DRAM的研发与量产全过程中，不正当使用了韩国国内世界最高
水准的半导体核心技术。
规避监管 手抄数百项制程参数
调查显示，前三星研究员B某2016年跳槽至长鑫存储时，为避开电子拷贝与拍摄可能留下
的追踪痕迹，改以手写方式抄录约600项关键DRAM制程工艺与设备参数，随后将这些数据
带入中国。
检方认定，该批资料属于三星历时5年、投入约1.6万亿韩元（约合12亿美元）研发的10纳
米级DRAM核心成果，是整个制程体系中最具商业价值的技术资产。
此外，负责长鑫存储洁净制程的C某也被指控经由供应链管道非法取得SK海力士（SK
Hynix）的国家核心技术，进一步扩大了外泄范围。
检方认为，这些外流技术使长鑫存储迅速补齐多项先进工艺缺口，并在2023年实现中国首
次量产10纳米级DRAM，两者“具有高度关联性”。
检方认定属“有组织犯案”
检方披露，涉案人员为躲避侦查，不仅成立空壳公司、多次转移办公地点，内部还流传“
要假设国情院（NIS，韩国最高情报与反情报机构）就在附近”等行动守则，甚至预先约
定遭拘捕时使用暗号通知同伙。
检方指出，相关外泄行为呈现明显的组织性与持续性，并非单一个人所为。对于危及国家
核心技术的案件，检方强调将坚决、严正应对，并依法从重追究责任。
损失或达数十万亿韩元
检方估算，仅以三星电子为例，近年因技术流失造成的市场损失恐达5万亿韩元（约合37
亿美元）。若计入整体产业链与未来竞争力受损，影响规模可能扩大至“数十万亿韩元”
级别。
此案曝光之际，正值全球内存芯片市场在人工智能需求带动下价格走高、供应趋紧。技术
外泄不仅影响企业竞争力，也牵动国家技术安全，因而在韩国产业界与科技界引发高度关
注。
责任编辑：李沐恩#