技术外流风险：SK 海力士再爆员工跳槽华为泄密
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SK 海力士前（SK Hynix）员工因涉嫌将先进封装技术非法转移至华为子公司海斯半导体
（HiSilicon），而被正式起诉。这些技术概括 3D NAND、高频宽内存（HBM）、多芯片
封装以及 CMOS 影像传感器（CIS） 的关键封装方法，凸显了技术外流与高科技机密传递
的风险。
这名韩国籍人士曾在SK海力士任职，据称于2022年应征华为职位时，违规存取并盗用公司
内部数据，拍摄超过11,000张机密文件照片。调查发现，他试图通过移除公司标识和保密
标签来掩盖资料来源。
虽然华为未明确要求该员工提供SK海力士的商业机密，但征才过程中接受了这些资料。此
事件加剧韩国对半导体专业知识外流的忧虑，特别是在美国限制对中国先进半导体出口、
中国力求半导体自给自足的背景下。
这并非SK海力士员工首次因跳槽华为而盗窃智慧财产权。去年，另一名员工因携带4,000
份机密文件至华为，被判处18个月有期徒刑并罚款。此案持续受到关注，因其涉及全球半
导体产业竞争与知识产权保护的重大议题。