作者: xamous (一天死去一点) 看板: Gossiping
标题: [新闻] 俄宣布自研EUV光刻机 陆网民欢呼：老大
时间: Sat Dec 21 09:54:21 2024
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1.媒体来源:
中时
2.记者署名:
卢伯华
3.完整新闻标题:
俄宣布自研EUV光刻机 陆网民欢呼：老大哥给力 华为有救了！
4.完整新闻内文:
据陆媒报导，俄罗斯已公布自主开发EUV（极紫外光）光刻机的路线图，这款EUV光刻系统
与艾斯摩（ASML）的标准不同，但其目标是要比ASML的光刻机更便宜、更容易制造。一些
大陆网民在网上留言对此表示质疑，同时也有网民热情欢呼：“还是老大哥给力，突破欧
美光刻机封锁。中芯国际有救了，华为有救了！”
陆媒《芯智讯》引述汇流新闻网Cnews报导称，俄罗斯自主研发的光刻机采用11.2nm的雷
射光源，而非ASML标准的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不相容，需要俄罗斯开发
自己的光刻生态系统，这可能需要10年或更长时间。
报导说，该光刻机开发计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的Nikolay Chkhalo 领导
，目标是制造出效能具竞争力且具成本优势的光刻机。它采用11.2nm的氙（xenon）基雷
射光源，取代ASML 的基于雷射轰击金属锡（tin）液滴产生EUV光源的系统。而11.2nm的
波长能将分辨率提升约20%，不仅可以简化设计并降低光学元件的成本，还能呈现更精细
的细节。
此外，该设计可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。尽管该光
刻机的晶圆制造产能仅为ASML 装置的37%，主要因为其光源功率仅3.6千瓦，但也足以应
付小规模芯片生产需求。
报导表示，以11.2nm波长为基础的工具很难直接相容现有以13.5nm为基础EUV 架构与生态
系统，甚至连电子设计自动化（EDA）工具也需要进行更新。虽然现有EDA 工具仍可完成
逻辑合成、布局和路由等基本步骤，但涉及曝光的关键制程，需要重新校准或升级为适合
11.2nm的新制程模型。
报导指出，该光刻机的开发工作将分为3个阶段，第1阶段将聚焦基础研究、关键技术辨识
与初步元件测试；第2阶段将制造晶圆的原型机，并整合至芯片生产线；第3阶段的目标是
打造一套可供工厂使用的系统。不过，目前还不清楚这些新的曝光工具将支援哪些制程技
术，路线图也未提到各阶段完成的时间表。
相关报导在大陆引起不少网民热烈议论，有网民为此欢呼：“中芯国际有救了，华为有救
了！还是老大哥给力，突破欧美光刻机封锁。”“雷射的难度会很大。不过ASML的方案也
不是最优解，只能说是走一步算一步的产物。”“各种弊端也太明显了。现在很多国家都
在搞其他的EUV方案。”
对此消息冷嘲热讽的网民留言就更多了：“看，那母猪正在上树。”“国内已经有了好吧
，25年正式公布。”“嗯，那就等鹅光刻机开卖吧，慢慢等。”“总算看到比某企更会吹
自研的了……”“朝鲜都已经说自己登陆太阳了，他的两位大哥还在哪研究光刻机呢。”
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