涉将三星独门技术“打包泄漏”中国 韩芯片大老再度被羁押
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前三星高层崔珍奭（66岁）因涉嫌将三星开发的核心芯片技术—20奈米制程资料泄漏给中国
，再度遭拘留，此举凸显韩国在打击产业间谍与放缓中国取得芯片制造进展的努力。
韩国朝鲜日报报导，首尔地方院5日对涉嫌违反“防止不正当竞争与保护商业祕密法”的崔
珍奭与吴姓前三星电子首席研究员举行拘留前的审讯，判定“有潜逃可能”，因此签发拘留
令。
报导指出。崔、吴两人涉嫌将包含20奈米芯片制程所需的温度、压力等600多道手续的核心
资料泄漏给中国成都高真科技。根据首尔警察厅产业技术安保调查队掌握的讯息显示，这两
人疑似将“三星电子的20奈米DRAM芯片独家技术打包泄漏”。
创立成都高真科技的崔珍奭曾任三星电子常务、海力士半导体（现为SK海力士）副社长。20
23年其因涉嫌窃取三星电子芯片厂设计图，意图在中国设立20奈米DRAM的“三星电子复制厂
”而被拘捕，并于11月获得保释
路透报导，自去年7月以来，崔珍奭是韩国备受瞩目的产业间谍审判对象。他的律师表示，
崔否认任何不法，他被控窃取的资料都是可公开取得的，至于最新控诉，崔珍奭还未被检方
起诉。