大幅缩短内存进程！传长鑫存储开始量产 HBM2
https://technews.tw/2024/08/05/cxmt-begins-mass-producing-hbm2-memory/
市场消息传出，中国内存大厂长鑫存储开始量产 HBM2 内存，若消息属实，比预期时
间早约两年，但未确定 HBM2 良率。
外媒 Tom′s Hardware 报导，长鑫存储开始采购制造 HBM 设备，大概需一至两年才能量
产。长鑫存储已向美国和日本供应商订购设备，美国公司应材和科林研发（Lam Research
）都获出口许可。
HBM2 每讯框传输速率约为 2~3.2GT/s，生产产品不需最新曝光技术，但需先进封装。首
先，使用硅穿孔（TSV）垂直连接内存零组件过程已经相当复杂，还需要将 HBM KGSD（
已知良好晶粒堆叠）模组进行封装，比 10 奈米制程传统 DRAM 芯片更复杂。
长鑫存储 DRAM 仍落后美光、三星和 SK 海力士，后三者开始量产 HBM3 及 HBM3E，准备
几年内推进至 HBM4。
华为 Ascend 910 系列处理器为 HBM2 内存，对中国来说，HBM2 是先进 AI 和 HPC 处
理器的关键，本地制造更是件大事。