SK海力士、三星和美光于2024年都将量产HBM3E，积极抢夺AI商机
原文网址:
https://bit.ly/3vcJaGN
原文:
SK海力士公司正在加大在先进芯片封装方面的支出，希望能更多地满足AI关键零组件之高
频宽内存(HBM)不断成长的需求。SK海力士认为半导体产业的前50年一直都注重在前端
制程的发展，但接下来的50年将主要关注后端的封装。
AI内存HBM的优势核心是在于制程创新，进一步降低功耗、提高性能是巩固企业在HBM市
场领先地位的关键。因此，SK海力士预计2024年将在韩国投资超过10亿美元，以扩大和改
进其芯片制造的封装。
虽然SK海力士尚未披露2024年的资本支出预算，但分析师平均预估该数字为14 兆韩元(约
105亿美元)。这表明SK海力士将投资先进封装约十分之一的资本支出，这表示其是一个主
要优先事项。
前几年，SK海力士开创了一种封装的第三代技术HBM2E的新颖方法，该方法很快就被其他
两家主要内存制造商效仿。也由于这项创新让SK海力士在2019年底赢得辉达客户的青睐
。
接下来，辉达正在将SK海力士最新的HBM3和HBM3E内存模组用于其当前、增强型和下一
代AI GPU，包括即将推出的Hopper H100、Hopper H200(首款配备HBM3E内存的AI GPU)
及其下一代Blackwell B100 AI GPU。
同一时间，三星预计将在NVIDIA GTC 2024上以实体形式展示其全新大容量36GB HBM3E
12-Hi堆叠内存。三星预计在未来几个月内将开始量产，辉达似乎也将其纳入H200和
B100 AI GPU的主要HBM内存供应商。这表示三星正在努力追赶SK海力士在HBM内存技
术上的领先优势。
其实，2013年当SK海力士和美国合作伙伴超微向全世界推出HBM内存时，根本没有一家
对手能在这里与其竞争，并让其维持了两年优势内。一直到2015年底，三星才警觉在HBM
内存技术落后之下，终于开发出HBM2。
至于美光，已开始大量生产用于生成式AI和高效能运算的HBM3E，并成功整合至辉达H200
GPU中，该GPU将于2024年第二季开始出货。
基本上，HBM3E芯片堆叠了12个24 GB DRAM芯片，峰值内存频宽为每秒1.28 TB。与前身
八堆叠HBM3相比，这两个方面都提高了50%。更重要的是HBM3E芯片的高度与八层芯片相同
，可以满足目前的封装要求，这是透过应用先进的热压缩非导电薄膜(TC NCF)技术实现的
。美光还降低了NCF材料的厚度，实现了业界最小的芯片间隙7微米。
总之，这三大内存厂商正加速参与这一场生成式AI盛会，抢夺未来几年的AI商机。