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Intel、Samsung尚难以动摇台积电晶圆代工独霸地位
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全球半导体制程技术领先族群—台积电、Samsung、Intel的顶尖赛局中，挑战者不断出招
进攻，台积电则积极防守、保卫、出击，持续以先进制程领导者之姿保卫其客户版图，例
如台积电计画在2奈米制程节点采用GAAFET电晶体、2026年发布N2P制程将引进Nanosheet
GAA电晶体并添加背面电源轨技术，公司有信心2奈米制程将在功率、性能、面积上相较于
竞争对手可望全面胜出；同时台积电对于High-NA EUV机台祭出审慎的评估，规划于1.4奈
米或2030年才开始导入；台积电也让先进封装成为公司抢夺AI订单的利器，旗下3D
Fabric拥有CoWoS、InFO、SoIC等多种先进封装流程。事实上，先进封装为高阶制程重要
的助攻推手，在提升芯片整合度、强化互联、效能最佳化的过程中扮演关键推手的角色，
是效能持续提升的重要保障；更为因应地缘政治动荡的议题而着手进行部分产能分散的海
外布局，尤以日本熊本厂进程最为顺利，故除了2024年业绩展望令人期待外，中长期营运
能见度仍高，此皆显示Intel、Samsung尚难以动摇台积电晶圆代工独霸地位，惟晶圆代工
龙头业者面对强敌环伺，也需审时度势。
Samsung借由直接于3奈米导入GAA架构、启动价格优惠策略、于美国进行投资布局等方式
期望于2030年弯道超车台积电，不过Samsung要有突破性的进展仍有其难度
有鉴于GAA架构相较于传统的FinFET架构，在效能、功耗和整合等方面具有显著优势，因
此Samsung于3奈米制程率先导入GAA架构，期望借此超车台积电。确实Samsung的3奈米量
产时程较台积电早半年，不过以2024年首季而言，台积电3奈米制程应至少囊括全球95%以
上的高市占率，原因在于Samsung 3奈米GAA架构的整体良率低于原先预期，让IDM及IC设
计业者却步，依旧选择良率高、产量稳定增长的台积电。值得一提的是光刻机(微影)设备
的争夺方面，Samsung不但大举采购EUV机台，ASML更于2023年12月中旬与Samsung签署备
忘录，将共同投资1兆韩元在韩国建立研究中心，并将利用下一代EUV光刻机研究先进半导
体制程技术，此亦突显Samsung的企图心。至于Samsung也祭出价格优惠策略，虽然可掠夺
少部分客户订单，但规模仍有限，毕竟重量级大厂选择晶圆代工厂的首要条件仍是制程良
率高低与稳定度，此部分依旧是台积电的强项。
Intel虽然仍有着美国政府回流本土制造为后盾，但本身在CPU、AI、晶圆代工业务等均有
难题需克服，同时碍于美国芯片法案补贴速度缓慢也致使Intel俄亥俄州晶圆厂也将延后
至2026年底完工
短期内Intel业绩在资料中心和人工智能事业部的情况恐不尽理想，甚至Intel的AI加速器
Gaudi系列仰赖收购，至于整合Gaudi与GPU的单一产品Falcon Shores也要到2025年才能问
世；而晶圆代工事业方面，虽然Intel开始安装业界首个High-NA EUV光刻系统，以应对
Intel 18A制程节点之后的挑战，且一家新的高性能运算客户将采用Intel代工服务制造其
设计的芯片，使得将采用Intel 18A制程节点的外部设计客户数量达到四个，同时UMC和
Intel宣布在Intel位于美国亚利桑那州的Ocotillo技术制造基地合作开发新的12奈米制程
平台，先进封装客户亦有五家，不过目前Intel在全球晶圆代工的市占率仍仅为个位数，
要挑战台积电五成以上的市占率，以及以288种制程为532个客户量产12,698个产品的能力
，依旧有相当大的差距。
若以新一波全球化的扩产布局方面，Intel不论是在美国或是欧洲、以色列等地，均是宣
示将大举投资，规模均远高于台积电，不过实际上也遭遇不少困难，以美国来说，Intel
于2024年2月宣布将延后价值200亿美元的俄亥俄州晶圆厂，延后至2026底兴建完成，主要
系因市场面临挑战，且美国政府延后发放资金所致，更重要的是，大规模的产能开出也需
有相对应的客户订单，此恐是Intel未来将面临的艰钜挑战。