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记者吴孟峰／综合报导〕据《日经新闻》报导，尽管中国中芯国际由于美国制裁而无法获得先进的芯片生产设备，在开发7奈米制造后，据称已成立一个研发团队，致力于5奈米和3奈米级制程技术研究，据两位知情人士透露，该团队由联合执行长梁孟松领导。
梁孟松是台积电前资深研发处长，他于2009年初离开台积电后，率多位团队成员投效韩国三星，涉泄漏台积电营业秘密及人事资料，之后又被中芯国际挖角，2017年担任中芯联合首席执行官，替中芯开发7奈米制程技术，对于被外界称为台积电叛将，他曾不满被贴上标签，哽咽表示为台积电卖命16年。
不过，台积电前首席法律顾问杜东佑（Dick Thurston） 今年早些时候曾告诉科技媒体EE Times，他说 ：“没有比这个人（梁孟松）更聪明的科学家或工程师了”、“他确实是我在半导体领域见过的最聪明的人之一”。
中芯国际从中国的一家小型代工厂到成为业界第5大芯片代工商，在中美关系日益紧张的情况下，该公司被列入美国商务部实体名单，无法使用领先的晶圆厂工具，严重减缓新制程技术的采用和发展进度。
科技媒体tomshardware报导，由于中芯无法从ASML获得极紫外线（EUV）曝光设备，因此只能借重第二代7奈米制程深紫外线（DUV）曝光机。目前，ASML的Twinscan NXT:2000i曝光机是中芯所拥有的最好的工具，可以蚀刻精细至38nm的生产分辨率，精度等级足以适用7奈米级制造。根据ASML和IMEC的数据，在5奈米制程中，金属间距缩小至30–32nm，在3奈米制程中，金属间距则降至21–24nm。
Thurston认为，在联合执行长梁孟松的领导下，中芯可以在不使用EUV工具的情况下生产5奈米芯片，虽然业界也已多次听到这类消息，然而，从媒体上传出中芯有能力设计以DUV制造3奈米级，这可能还算是第一次。