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电晶体微缩...英特尔大突破
04:10 2023/12/13 工商时报 陈颖芃 、综合外电
英特尔为了在半导体市场重拾竞争力，近日在年度IEEE国际电子元件会议（IEDM）上发表
多项新一代电晶体微缩技术突破，其中最大亮点，是芯片背部供电及直接背部接触的3D堆
叠互补金属氧化物半导体（CMOS）电晶体，有助英特尔朝4年5节点的目标迈进。
随着电脑运算需求急速扩大，英特尔近年不断设法延续摩尔定律，并订下4年5节点的计画
，宣称未来新芯片设计的规格单位将不再侷限于奈米，而是进入埃米时代（Angstrom Era
）。
英特尔先前已宣布明年推出的20埃米（20A）节点将运用新一代RibbonFET技术，这次在
IEEE国际电子元件会议上又发表更新技术，那就是芯片背部供电及直接背部接触的3D堆叠
CMOS电晶体。
英特尔在会中展示，这项创新技术能在小至60奈米的微缩闸极间距垂直堆叠互补场效电晶
体（CFET），大幅提升空间效率。
英特尔表示，芯片背部供电及直接背部接触的3D堆叠CMOS电晶体能将处理器电力互连元件
移至芯片背面，换言之芯片正面能容纳更多资料传输元件，况且电力互连元件的体积也能
扩大，相对减少电阻。
事实上，英特尔早在两年前就为3D堆叠CMOS电晶体申请专利，但在今年5月ITF World大会
上才首度公开3D堆叠电晶体研发计画。英特尔近日公布的制程技术蓝图一再强调电晶体微
缩技术创新，其中PowerVia芯片背面供电技术已经预定明年量产。
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