宝山厂建置计画放缓，业界传出台积电 2 奈米量产计画延至 2026 年
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台积电 2 奈米厂正紧锣密鼓建设中，北中南皆有重大投资，分别是新竹宝山厂、台中中
科厂及高雄楠梓厂，根据最新供应链消息，宝山厂建置计画开始放缓，恐影响原订量产计
画，业内人士推测，放量的时间恐将延后 2026 年。
台积电预计在竹科宝山二期兴建 Fab 20 厂区，共规划 4 座 12 吋晶圆厂（P1~P4），原
预计 2024 年下半年进入风险性试产，2025 年进入量产。目前最新进度是竹科管理局已
展开宝山二期扩建计画的公共工程，如周边道路、废水池等，并将用地交给台积电同步展
开建厂作业。
但根据供应链消息，受到半导体需求不振，以及采用客户尚不明朗的影响，台积电新竹宝
山厂建置计画开始放缓，原订 2025 年下半年的量产计画，恐怕要等到 2026 年才会开始
放量。
至于高雄厂则与新竹宝山厂同步启动 2 奈米建厂，原订装机作业只比宝山厂晚一个月，
目前不确定宝山厂工程放缓后，是否同步影响到高雄厂；至于台中厂部分，已经通过台中
市政府都审，但动工需等明年，有媒体称，中科厂不排除直接进阶为 1.4 奈米、甚至是
1 奈米生产重镇。
外界传台积电 2 奈米将首度采用奈米层片 GAA 电晶体架构，三星则提早在 3 奈米时采
GAA 制程，是否能成为超车台积电的关键仍有待观察。不过，由于技术难度高，在研发
初期导入 GAA 仍会面临相当大的良率问题。
GAA 是什么？跟过去 FinFET 有何不同？
根据电晶体构造，电子会从源极进入，往汲极方向移动，由金属闸极（图绿色处）与电压
来控制是否允许电子通过，不过随着芯片微缩、金属闸极的线宽越来越小，约在 20 奈米
以下，电子就可能偷跑造成漏电问题，形成短路，因此有 FinFET 的发明。
FinFET 是将源极和汲极直立起来（图灰色处），增加与金属闸极的接触面积，这能严格
地控制电子，使其不要漏电，由于立起来的构造很像鱼鳍，因此称为“鳍式电晶体”（
FinFET）。
不过，到 3 奈米以下如果再继续使用 FinFET 制程，容易遇到物理极限，出现漏电问题
，因此需将 Fin 从垂直改为水平，增加更多的接触面积，即是所谓的“环绕闸极电晶体
”（Gate-All-Around FET，GAAFET）。
三星很早就在研究 GAA 架构，也和 IBM、格罗方德合作于 2017 年发表相关论文；台积
电也准备好生产 2 奈米时，会转向奈米片（Nanosheet）电晶体技术，不过目前由于
GAA 技术难度较高，研发生产时间可能延后，加上传出 2 奈米厂建设时间延后，因此量
产时间很可能延后至 2026 年。
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▲ 台积电 N2 Nanosheet 示意图。