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钜亨网编译罗昀玫
三星电子周四 (30 日) 正式宣布量产 GAA 架构的 3 奈米制程，成为全球第一家量产 3
奈米制程的晶圆代工厂商，但并未公布首发客户名单。
三星最新声明中指出，三星在 3 奈米制程节点中导入 GAA 架构，以突破 FinFET 架构性
能限制，这个新世代制程通过降低电源电压来提高功率效率，同时通过增加驱动电流能力
来提高性能，能以更小的体积实现更好的功耗表现，以满足各种客户的需求。
三星称，GAA 的设计灵活性非常有利于设计技术协同优化 (DTCO)，与 5 奈米制程工艺相
比，第一代 3 奈米制程可将功耗降低 45%、性能提高 23%，芯片面积减少多达 16%，而
第二代 3 奈米制程可降低高达 50% 的功耗，提高 30% 的性能和减少 35% 的面积。
三星电子总裁暨晶圆代工事业部负责人 Siyoung Choi 表示，三星在晶圆代工行业的首个
高介电常数金属闸极 (HKMG)、FinFET、EUV 等新一代技术应用于制造业方面，一直保持
著领先地位，公司寻求持续在全球首个 MBCFET™ 3 奈米制程方面的领导地位，将在竞争
性技术开发方面继续积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程。
三星并未公布首发客户名单，但市场传出三星 3 奈米制程最初客户有上海磐硅半导体
(PanSemi) 和高通 (QCOM-US) 等公司。