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SiC技术门槛高 鸿海买厂恐先赔5年
2021/08/07 05:30
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鸿海前天公布买下旺宏位于竹科的６吋晶圆厂，董事长刘扬伟（右）表示，将会当集团半
导体事业群总部，作为氮化硅研发基地与生产线。（记者洪友芳摄）
〔记者洪友芳／新竹报导〕鸿海（2317）以25.2亿元买下旺宏（2337）位于竹科6吋晶圆
厂，将发展电动车需求的第三代半导体碳化硅（SiC）功率元件；半导体业界纷认为，SiC
技术门槛高，鸿海花高价买厂，也要再花数十亿元投资相关设备，技术来源尚未确定，半
导体业估这投资恐至少要先赔5年。
投资相关设备需数十亿
针对买下旺宏厂发展SiC功率元件，鸿海董事长刘扬伟5日于签约记者会上也提到，未来还
要投资数十亿。
第三代半导体包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料的功率元件，特斯拉电动车就是
采用SiC，鸿海董事长刘扬伟表示，车用强调安全，电动车需要快速充电，但同时要承受
高电压与高电流，才能散热快，比起其他功率元件，SiC功率元件拥有上述优越特性，毕
竟车用牵涉到安全与性能，鸿海购买6吋晶圆厂，选择作为SiC研发与小量生产的基地，也
会跟欧美等供应商外购。
半导体业界指出，SiC技术门槛高，科锐（Cree）、英飞凌（Infineon）、罗姆（ROHM）
等国际厂商，虽已跨足量产SiC领域，因SiC尚未大量商业化，目前价格昂贵，一片6吋SiC
晶圆高达2-3千美元；汉民集团董事长黄民奇被视为最有耐心耕耘前瞻技术，旗下的汉磊
（3707）是台湾唯一投入研发SiC超过10年的厂商，也建置4吋与6吋产线，但仍持续努力
改善良率，送客户验证，目前贡献营运还不显著，不过拜晶圆代工供不应求、涨价效应，
今年上半年才转亏为盈。
刘扬伟表示，鸿海已跟国内机构开始进行SiC技术研发中；业界认为，显见鸿海技术研发
还需时间，可能会寻求国际厂商技术授权较快。
旺宏6吋厂卖25.2亿元，比业界预期高10多亿元，鸿海还要添购数十亿元投资量产SiC相关
设备，往后每年成本摊提恐要数亿元以上，加上从研发到送客户认证时间很长，往往要多
年，且鸿海算是半导体跨足晶圆厂的新秀，找谁来掌舵与整合晶圆厂团队也是重要关键。