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台积3奈米技术 跨步
2021-06-18 05:32 经济日报 / 记者尹慧中／台北报导
台积电积极冲刺3奈米开发，预计2022年下半年量产，重要合作伙伴应用材料、新思科技
昨（17）日同步发布最新3奈米技术创新的进展，为台积电3奈米量产预作准备。
台积电预期，3奈米效能可较5奈米提升10%至15%，功耗减少25%至30%，逻辑密度增加1.7
倍，SRAM密度提升1.2倍、类比密度则提升1.1倍等。目标3奈米量产第一年，客户产品量
能达到5奈米两倍以上，广泛应用于智慧机与高速运算（HPC）平台。
台积电业务开发副总张晓强日前在技术论坛上透露，台积电认为继续采用鳍式场效电晶体
（FinFET）架构开发3奈米制程，能帮助客户取得成功的最佳方案。
对于3奈米，应用材料昨日宣布，已推出一种崭新的布线工程设计方法“Endura Copper
Barrier Seed IMS” ，能促使先进逻辑芯片微缩到3奈米及更小尺寸。目前全球各大晶圆
代工逻辑客户已使用该系统。
新思也针对台积最先进3奈米制程技术发表相关方案，其数位与客制化解决方案已通过台
积最新设计参考流程及制程设计套件的认证。