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〈世界法说〉GaN制程技术最快今年底前小量量产
晶圆代工厂世界先进 (5347-TW) 今 (4) 日召开法说，公司表示，氮化镓 (GaN) 制程研发上季取得不错的突破，预期快则今年底、慢则明年上半年就能小量量产。
世界先进在 GaN 材料上投资超过 4 年时间，与设备材料厂 Kyma、及转投资 GaN 硅基板厂 Qromis 携手合作，开发可做到 8 英寸的新基底高功率氮化镓技术 GaN-on-QST。
世界先进指出，目前在 QST 基板上取得独家供应，开发成果中，可看到其可靠性 (Reliability) 优势，将来在电源应用上，有较高的期待。
世界先进透露， GaN-on-QST 技术在上季取得不错的突破，客户验证也有不错成果，有几个客户着手进行产品设计中，对进度乐观看待，预期最快今年底、慢则明年上半年，就可小量量产。
GaN 属于新材料，效能、可靠度等均需要长时间验证，在 5G 高频功率元件中，扮演重要角色，被看好未来将大量应用于车联网、电动车、5G 基地台供电模组等领域，世界先进也因此积极布局 GaN 材料，着眼 8 吋 GaN 制程研
心得：GaN目前量产以6吋为主，8吋成本还太高，目前有投入8吋GaN开发新闻查得到的只有GG和仙境，卡位先。