Yole：5G封装市场2026年达26亿美元 从RF模组到AiP10
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5G封装市场在2020年为5.2亿美元，预计将以31％的复合年增长率增长，到2026年将达到
约26亿美元。5G封装包括RF模组含有PAD、DRx FEM等以及AiP10 用于5G sub-6 GHz & 5G
mmWave连接。
根据Yole最新报告《智慧手机5G封装趋势》，重点关注5G Sub-6GHz和5G mmWave的模组和
零组件封装。智慧手机的5G封装市场，涵盖了支持5G通信的各种RF前端模组，例如：5G低
于6GHz的RFFEM（PAMiD11、DRx）、5G mmW AiP、5G mmW的分立天线、5G mmW的FEM12 。
根据Yole团队分析：
5G 6 GHz以下RFFEM占2026年5G总体封装的67％，其次是5G mmW FEM，mmW AiP和mmW分立
天线。
行动毫米波通信的AiP封装市场将增长40％，到2026年达到约4.48亿美元。AiP在5G封装市
场中的市占率将从2020年的11％增长到2026年的17％。
5G封装基板市场将以35％的复合率增长，到2026年将达到7.21亿美元。
低损耗基板(Low-loss substrate)对于支持5G mmWave移动通信至关重要，是mmWave SiP
（包括AiP和分立天线）所必需的。
Yole表示：有了5G规范，下行链路和上行链路的RF路径数量都大大增加了。结果，需要更
多的裸片或更大的裸片来容纳5G信号以及4G和其他无线电设备。
由于节省电路板空间是智慧手机行业的关键，因此Murata，Skyworks，Qorvo，Broadcom
和Qualcomm等RF前端1层以及半导体委外封装测试(OSAT)公司已经变得更加有创意，可以
将零组件封装在复杂的模组中。
从2020年开始，在成本方面的供应商排名显示，高通在5G手机RF前端方面的领导地位，其
次是Broadcom和Qorvo。每个智能手机的RFFE收入几乎有一半流向了高通。然而，在2021
年初的5G手机中，Qorvo凭借一些创新模组可能争夺第二名。
行动设备中的各种RF有源和无源组件，都组装在SiP中或保持离散。 LTE的演进已导致行
动电话中的架构复杂，这主要归因于载波聚合。同时，RF的板面积和可用天线空间已经减
少，从而导致了密度化趋势，越来越多的手机OEM13采用功率放大器模块并实现了新技术
，即LTE14和WiFi之间的天线共享。
Yole表示：5G增加了更多的复杂性，需要在前端模块中进行更多的致密化，以实现5G 6
GHz以下和毫米波频段的集成。单个芯片对于调谐器或分立滤波器等组件而言，具有成本
效益。对于高端电话，SiP技术是提高性能的首选。
在2018年之前，LGA SiP被用于射频行业。智慧手机中的4G LTE使用多管芯SiP（10-15个
管芯，利用倒装芯片球或Cu柱或引线键合将各种组件连接到有机无芯基板）用于FEM，以
及用于滤波器组和分集接收模块。
由于双面封装的发展，BGA自此被广泛采用。例如，iPhone 12中集成的RF SiP（MB / HB
PAMiD）的最新版本几乎比第一个中/高频段PAMiD小50％。借助EMI屏蔽，Flip-Chip PA15
或Double-side Moulding BGA等创新技术，Broadcom设法以较小的占地面积集成了该系统
。双面BGA封装技术通过新型内部屏蔽和使用PCB基板隔离关键组件的方式，在组件密度方
面取得了进步。 Broadcom，Qorvo和Skyworks等领先公司在RF SiP中实现了逐步创新，从
LGA到DSBGA再到DS-MBGA，而Murata直接实现了DS-MBGA来进行系统集成和小型化。射频系
统集成和小型化趋势要求针对移动5G封装进行不同级别的创新。
支持5G 6 GHz以下5G的RFFEM利用现有的基于倒装芯片层压板的SiP进行了修改，并采用了
相似的材料清单以增量创新。另一方面，随着新封装架构和平台的出现，5G mmW带来了颠
覆性封装：扇出WLP和玻璃基板中介层与具有新型低损耗电介质的先进有机基板倒装芯片
封装竞争。
Yole评论认为，天线技术和布局是5G半导体系统面临的最关键的挑战之一。 在毫米波频
率下，从半导体封装到天线的长路径代表了高损耗，因此需要将天线汇集到SiP中。更高
的频率需要更小的天线（毫米而不是厘米），从占用空间的角度来看，这将更易于汇集到
SiP中。在这种情况下，提出了基于倒装芯片和扇出技术且具有不同架构的各种封装解决
方案，用于将天线元件与用于5G行动通信的RF组件整合在一起。